1) Cr/Cu functionally graded thin films
铬/铜梯度薄膜
2) Cr-Cu-N film
铬-铜-氮薄膜
1.
Cr-Cu-N films were deposited using low energy ion beam assisted magnetron sputtering (IBAMS).
应用低能离子束辅助磁控溅射(IBAMS)沉积铬-铜-氮薄膜,研究了铜含量和轰击能量对薄膜结构、硬度和断裂韧度的影响。
3) chrome-copper-chrome film electric pole
铬铜铬薄膜电极
4) gradient thin film
梯度薄膜
1.
The adjuster can achieve gas flowgradient change for depositing gradient thin film.
本文对关联式气体流量调节器的工作原理进行了分析,获得了气体流量与阀通径之间的函数关系,结果表明,此调节器的设计可以实现气体流量的梯度变化,为沉积梯度薄膜提供了可能。
5) Gradient bromating amorphous hydrogenated carbon film
掺溴梯度薄膜
6) gradient-index films
梯度折射率薄膜
补充资料：铬硅电阻薄膜
分子式：
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条