1) metal induced crystallization
金属诱导晶化
1.
Study on the large grain size poly-Si prepared by metal induced crystallization using nickel chemical source;
大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究
2.
Amorphous silicon (a Si) films is deposited by PECVD and is crystallized by metal induced crystallization (MIC) at various temperatures.
利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。
2) MIC
[英][maɪk] [美][maɪk]
金属诱导晶化
1.
Process and material characterization of crystallization of amorphous silicon(a-Si) by metal-induced crystallization(MIC) and metal-induced lateral crystallization(MILC) using sputtered Ni on(amorphous) silicon film to prepare polysilicon(p-Si) film were investigated.
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。
3) Metal-induced crystallization
金属诱导晶化
1.
The method of metal-induced crystallization of amorphous silicon is discussed in this thesis.
Poly-Si薄膜采用金属诱导晶化法制备。
4) MIC poly-Si
金属诱导晶化多晶硅
1.
The basis mechanism and main process flow of metal induced crystallization poly-Si(MIC poly-Si)dynamic gettering are discussed,and its applications are studied for use in poly-Si thin film transistor devices.
在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份。
5) solution-based metal-induced crystallization
溶液法金属诱导晶化
1.
Investigation on the improvement of the stability and uniformity of solution-based metal-induced crystallization poly-Si using surface-embellishment;
表面修饰改善溶液法金属诱导晶化薄膜稳定性与均匀性研究
6) MILC
金属诱导横向晶化
1.
,the metal-induced lateral crystallization(MILC),excimer laser annealing(ELA) and inductively coupled plasma CVD(ICP-CVD),with their advantages and disadvantages compared wi.
本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的三种制备方法—金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等离子体化学气相沉积法的原理和研究进展,比较了它们之间各自的优缺点,最后对该领域的发展前景进行了展望。
2.
The principles and progress of LTPS preparation methods including metal induced lateral crystallization(MILC),excimer laser annealing(ELA),catalytic chemical vapor deposition(Cat-CVD) and inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD) were systematically introduced.
系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。
3.
Process and material characterization of crystallization of amorphous silicon(a-Si) by metal-induced crystallization(MIC) and metal-induced lateral crystallization(MILC) using sputtered Ni on(amorphous) silicon film to prepare polysilicon(p-Si) film were investigated.
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。
补充资料：金属化纸和金属化薄膜
表面上蒸镀一层很薄 (0.1微米左右)的金属层的纸或薄膜。金属化纸曾应用于电缆、变压器作为屏蔽层,现多用于制造电容器。金属化纸和金属化薄膜的特点是具有自愈性,即当某处击穿时,短路电流使击穿部位周围的金属膜熔化并蒸发而又恢复绝缘性能，因此显著减少纸或薄膜中贯穿性导电疵点和弱点对击穿强度的影响，从而提高工作场强。低压纸介电容器如用铝箔极板（6～7微米）,必须用2～3层纸或薄膜,若用金属化纸或金属化薄膜,只要1层即可,极板的厚度也由6～7微米减少到0.1微米左右，大大节省材料。直流或脉冲电容器用金属化纸时，为了提高绝缘电阻，可以在纸的单面或双面涂以约1微米厚的快干纤维漆，然后在真空中蒸镀0.1微米的金属膜。交流电容器用的金属化纸或金属化薄膜，为了不使介质损耗增大，不喷漆，而是在纸或薄膜表面上直接蒸镀金属膜。用于蒸镀金属膜的金属有锌、镉、镍和铝等，以锌最适合（沸点较低）。有些薄膜（例如聚酯薄膜）可以先在表面上蒸镀银层，然后再蒸镀锌层。
金属化纸或金属化薄膜吸潮后，特别是在较高温度下容易被损伤腐蚀，在储存、加工过程中要采取适当的防潮措施。金属化纸一般不可用氯化物浸渍，以防止纸中析出的氢同氯化物浸渍剂析出的氯作用形成腐蚀性的氯化氢；但加了某些特殊的稳定剂后也可以用氯化物浸渍。
金属化纸或金属化薄膜吸潮后，特别是在较高温度下容易被损伤腐蚀，在储存、加工过程中要采取适当的防潮措施。金属化纸一般不可用氯化物浸渍，以防止纸中析出的氢同氯化物浸渍剂析出的氯作用形成腐蚀性的氯化氢；但加了某些特殊的稳定剂后也可以用氯化物浸渍。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条