1) metal induced excimer laser annealing crystallization
金属诱导准分子激光晶化
2) MI-ELA
金属诱导下激光晶化法
3) ELA
准分子激光晶化
1.
,the metal-induced lateral crystallization(MILC),excimer laser annealing(ELA) and inductively coupled plasma CVD(ICP-CVD),with their advantages and disadvantages compared wi.
本文系统介绍了低温多晶硅薄膜的三种制备方法—金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法和电感耦合等离子体化学气相沉积法的原理和研究进展,比较了它们之间各自的优缺点,最后对该领域的发展前景进行了展望。
2.
The principles and progress of LTPS preparation methods including metal induced lateral crystallization(MILC),excimer laser annealing(ELA),catalytic chemical vapor deposition(Cat-CVD) and inductively coupled plasma chemical vapor deposition(ICP-CVD) were systematically introduced.
系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。
4) excimer laser induced CVD
准分子激光诱导CVD
5) metal induced crystallization
金属诱导晶化
1.
Study on the large grain size poly-Si prepared by metal induced crystallization using nickel chemical source;
大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究
2.
Amorphous silicon (a Si) films is deposited by PECVD and is crystallized by metal induced crystallization (MIC) at various temperatures.
利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。
6) MIC
[英][maɪk] [美][maɪk]
金属诱导晶化
1.
Process and material characterization of crystallization of amorphous silicon(a-Si) by metal-induced crystallization(MIC) and metal-induced lateral crystallization(MILC) using sputtered Ni on(amorphous) silicon film to prepare polysilicon(p-Si) film were investigated.
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。
补充资料：激光诱导分子荧光光谱法
分子式：
CAS号：
性质： 用激光作激发光源的分子荧光分析法。采用激光器，特别是可调谐激光器，作激发光源有许多优点。不仅使测量灵敏度显著提高且线性范围更宽；利用激光光源方向性好，可聚焦成很小光斑的特点，可实现单细胞，乃至单细胞核内元素的测定，以及微区近似无损的分析；利用激光超短脉冲技术，可获得皮秒光谱，满足纳秒级荧光寿命的分辨和时间分辨荧光光谱法的要求，以及激发、弛豫等皮秒过程的快速分析。
CAS号：
性质： 用激光作激发光源的分子荧光分析法。采用激光器，特别是可调谐激光器，作激发光源有许多优点。不仅使测量灵敏度显著提高且线性范围更宽；利用激光光源方向性好，可聚焦成很小光斑的特点，可实现单细胞，乃至单细胞核内元素的测定，以及微区近似无损的分析；利用激光超短脉冲技术，可获得皮秒光谱，满足纳秒级荧光寿命的分辨和时间分辨荧光光谱法的要求，以及激发、弛豫等皮秒过程的快速分析。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条