1) metal induced
金属诱导
1.
This article presents the technology of Poly-Si films by metal induced crystallization,and discusses crystalline mechanism.
本文综述了金属诱导非晶硅薄膜进行低温晶化的研究,讨论了金属诱导法的晶化机理,分析了金属诱导晶化过程中的主要影响因素,对不同的金属诱导法进行比较,展望了金属诱导法的进一步发展。
2.
We developed a new process for low temperature crystallization of amorphous silicon films, by metal induced crystallization of amorphous silicon films at low temperature.
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺———金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。
3.
A novel technology for preparation of poly silicon films metal induced crystallization(MIC) of amorphous silicon films is introduced.
本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法 ,综述了制备金属 /非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果 ,着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行
2) metal Ni induced
金属镍诱导
4) metal inducing electroless plating
金属诱导化学镀
1.
The unsupported and supported NiCoB bimetal amorphous alloy catalysts were prepared by metal inducing electroless plating(MIEP) method.
采用金属诱导化学镀(MIEP)法分别制备了非负载型和负载型NiCoB双金属非晶态合金催化剂,并用XRDI、CP和TEM等方法表征了催化剂的结构、组成和形貌等。
5) metal induced crystallization
金属诱导晶化
1.
Study on the large grain size poly-Si prepared by metal induced crystallization using nickel chemical source;
大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究
2.
Amorphous silicon (a Si) films is deposited by PECVD and is crystallized by metal induced crystallization (MIC) at various temperatures.
利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。
6) MIC
[英][maɪk] [美][maɪk]
金属诱导晶化
1.
Process and material characterization of crystallization of amorphous silicon(a-Si) by metal-induced crystallization(MIC) and metal-induced lateral crystallization(MILC) using sputtered Ni on(amorphous) silicon film to prepare polysilicon(p-Si) film were investigated.
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。
补充资料：金属横向诱导法(milc)
20世纪90年代初发现a-si中加入一些金属如al，cu，au，ag，ni等沉积在a-si∶h上或离子注入到a-si∶h薄膜的内部，能够降低a-si向p-si转变的相变能量，之后对ni/a-si:h进行退火处理以使a-si薄膜晶化，晶化温度可低于500℃。但由于存在金属污染未能在tft中应用。随后发现ni横向诱导晶化可以避免孪晶产生，镍硅化合物的晶格常数与单晶硅相近、低互溶性和适当的相变能量，使用镍金属诱导a-si薄膜的方法得到了横向结晶的多晶硅薄膜。横向结晶的多晶硅薄膜的表面平滑，具有长晶粒和连续晶界的特征，晶界势垒高度低于spc多晶硅的晶界势垒高度，因此，milc tft具有优良的性能而且不必要进行氢化处理。利用金属如镍等在非晶硅薄膜表面形成诱导层，金属ni与a-si在界面处形成nisi2的硅化物，利用硅化物释放的潜热及界面处因晶格失错而提供的晶格位置，a-si原子在界面处重结晶，形成多晶硅晶粒，nisi2层破坏，ni原子逐渐向a-si层的底层迁移，再形成nisi2硅化物，如此反复直a-si层基本上全部晶化，其诱导温度一般在500℃，持续时间在1o小时左右，退火时间与薄膜厚度有关。
金属诱导非晶硅晶化法制备多晶硅薄膜具有均匀性高、成本低、相连金属掩蔽区以外的非晶硅也可以被晶化、生长温度在500℃。但是milc目前它的晶化速率仍然不高，并且随着热处理时间的增长速率会降低。我们采用milc和光脉冲辐射相结合的方法，实现了a-si薄膜在低温环境下快速横向晶化。得到高迁移率、低金属污染的多晶硅带。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条