1) metal induced crystallized poly-crystalline Si film
金属诱导多晶硅
2) MIC poly-Si
金属诱导晶化多晶硅
1.
The basis mechanism and main process flow of metal induced crystallization poly-Si(MIC poly-Si)dynamic gettering are discussed,and its applications are studied for use in poly-Si thin film transistor devices.
在研究金属诱导晶化多晶硅材料(MIC poly-Si)和以之为有源层的poly-Si TFT的过程中,发现在MIC多晶硅薄膜中含有部分残余的镍成份。
3) metal induced crystallization
金属诱导晶化
1.
Study on the large grain size poly-Si prepared by metal induced crystallization using nickel chemical source;
大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究
2.
Amorphous silicon (a Si) films is deposited by PECVD and is crystallized by metal induced crystallization (MIC) at various temperatures.
利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。
4) MIC
[英][maɪk] [美][maɪk]
金属诱导晶化
1.
Process and material characterization of crystallization of amorphous silicon(a-Si) by metal-induced crystallization(MIC) and metal-induced lateral crystallization(MILC) using sputtered Ni on(amorphous) silicon film to prepare polysilicon(p-Si) film were investigated.
对在氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H)上溅射金属Ni的样品进行金属诱导晶化(MIC)/金属诱导横向晶化(MILC),制备多晶硅薄膜(p-Si)的工艺及薄膜特性进行了研究。
6) Metal-induced crystallization
金属诱导晶化
1.
The method of metal-induced crystallization of amorphous silicon is discussed in this thesis.
Poly-Si薄膜采用金属诱导晶化法制备。
补充资料：多晶硅
单质硅的一种形态。熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来,结晶成多晶硅(见彩图)。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显；在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
由熔融的单质硅在过冷条件下自由结晶，可得多晶硅晶体。多晶硅可作拉制单晶硅的原料。
由熔融的单质硅在过冷条件下自由结晶，可得多晶硅晶体。多晶硅可作拉制单晶硅的原料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条