1) RTCVD
快速热化学气相沉积
1.
Processing conditions, characteristics of the substrate and the film deposited by RTCVD are discussed.
采用廉价国产硅粉拉制的低纯度颗粒硅带 (SSP)作为衬底 ,利用快速热化学气相沉积 (RTCVD)方法外延多晶硅薄膜并制作了转换效率达 4 5 %的薄膜太阳电池。
2.
Molecular beam epitaxy (MBE) is described along with three types of chemical vapor deposition: ultrahigh vacuum (UHV/CVD),atmospheric pressure (APCVD),and rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD).
本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延 (MBE)、超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)、常压化学气相沉积 (APCVD)、快速热化学气相沉积 (RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题 ,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进 ,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。
2) rapid thermal chemical vapor deposition
快速热化学气相沉积
1.
Polycrystalline silicon(poly Si)films(10—20μm)were grown by a rapid thermal chemical vapor deposition technique from SiH 2Cl 2 with a growth rate up to 10nm/s at the substrate temperature(Ts)of 1030℃.
报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。
2.
In this paper, we adopted rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) and zone melti.
本文采用快速热化学气相沉积(RTCVD)和区熔再结晶(ZMR)相结合的方法，在SiSiC和Al_2O_3等陶瓷衬底上制备多晶硅薄膜，并初步探索了高温路线制备多晶硅薄膜太阳电池的相关工艺。
3) Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition (RTCVD)
快速热化学汽相沉积(RTCVD)
4) thermal chemical vapor deposition(TCVD)
热化学气相沉积
5) Rapid Thermal Process/Very Low Pressure-Chemical Vapor Deposition
快速加热/超低压-化学气相淀积
6) rapidly chemical vapor infiltration
快速化学气相渗积法
补充资料：热化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条