1) chemical vapor deposition
化学气相沉积
1.
Study on PPy/UHMWPE fiber prepared by chemical vapor deposition;
化学气相沉积PPy/UHMWPE纤维的研究
2.
Preparation of In_2O_3 nanowires by single-source chemical vapor deposition method;
单源化学气相沉积法制备In_2O_3纳米线
3.
Dielectric properties of aluminum-doped silcion carbide using chemical vapor deposition;
化学气相沉积铝掺杂碳化硅的微波介电特性
2) CVD
化学气相沉积
1.
Growth of carbon nanotubes on SiO_2-particle substrates via CVD method;
利用化学气相沉积法在SiO_2小球基底上制备纳米碳管的研究(英文)
2.
Research Status on the Adhesion between Substrate and Diamond Film Deposited by CVD;
化学气相沉积金刚石薄膜刀具膜/基附着性能研究现状
3.
Study on CVD for Tungsten Coating and Capability of its Anti-ablation;
化学气相沉积钨涂层及抗烧蚀性能研究
3) chemical vapour deposition
化学气相沉积
1.
Preparation of tellurium films with spectral selectivity by chemical vapour deposition method;
化学气相沉积法制备光谱选择性碲膜
2.
Silicon nitride films prepared by helicon wave plasam-enhanced chemical vapour deposition;
螺旋波等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜
3.
A new glass coating technology to combine the method of ionic pervasion colouration with the technique of chemical vapour deposition was adapted.
将离子渗透着色技术(IPC)和化学气相沉积技术(CVD)加以结合,在浮法玻璃生产线的锡槽内和AO区进行2次镀膜形成复合膜,克服了单一镀膜技术存在的不足。
4) chemical vapor deposition (CVD)
化学气相沉积
1.
Ultrafine powders coating in fluidized bed reactor by chemical vapor deposition (CVD) method to synthesize TiO_2-ZnS composites were studied.
为了制备TiO2-ZnS复合粒子,采用流态化化学气相沉积(CVD)法,探讨了其包覆工艺,借助SEM、XRD、EPMA等测试手段研究了复合粒子结构和包覆过程特征。
2.
A new kind of silicon oxidic film on aluminum was prepared by chemical vapor deposition (CVD) in ambient pressure.
本研究采用常压化学气相沉积(CVD)的方法在金属铝基底上制备出硅氧化合物陶瓷膜层。
3.
Diamond films have been deposited on carbon steel with an intermediate layer by chemical vapor deposition (CVD).
利用表面预镀中间层在４５号钢上化学气相沉积（ＣＶＤ）得到了金刚石膜。
5) chemical vapor deposition(CVD)
化学气相沉积
1.
A thin layer of carbon was coated onto SiC fiber through chemical vapor deposition(CVD).
采用化学气相沉积的方法,在SiC纤维表面沉积了一层C涂层,通过拉伸实验对涂C前后的SiC纤维强度进行比较分析,用扫描电子显微镜对其形貌进行观察。
2.
GaN films grown on Si substrates were obtained by hot-wall chemical vapor deposition(CVD), magnetron sputtering and electrophoretic deposition techniques.
分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。
6) chemical vapor deposition(CVD)
化学气相沉积(CVD)
补充资料：化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：利用气相化学反应在基底上沉积另一种固体材料的方法，常用于制取固体薄膜。化学气相沉积过程包括气相反应物的生成、气相反应物的输运和沉积。利用化学气相沉积方法可以得到从非晶态、晶态到外延单晶薄膜等各种材料，是一种应用非常广泛的化学合成方法。化学气相沉积还可以用于制备多种高熔点化合物薄膜。例如，高熔点的四氮化三硅可以利用氨和硅烷反应得到。其他如二氧化硅和氧化铝等薄膜也可以用此法制取。化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途。在半导体器件的制备中常常需要在半导体表面生长一定厚度的另一种电学性能不同的半导体单晶薄膜，这种薄膜可以利用化学气相沉积或化学气相外延的方法制取。
CAS号：
性质：利用气相化学反应在基底上沉积另一种固体材料的方法，常用于制取固体薄膜。化学气相沉积过程包括气相反应物的生成、气相反应物的输运和沉积。利用化学气相沉积方法可以得到从非晶态、晶态到外延单晶薄膜等各种材料，是一种应用非常广泛的化学合成方法。化学气相沉积还可以用于制备多种高熔点化合物薄膜。例如，高熔点的四氮化三硅可以利用氨和硅烷反应得到。其他如二氧化硅和氧化铝等薄膜也可以用此法制取。化学气相沉积在半导体材料和器件的制备中具有重要的用途。在半导体器件的制备中常常需要在半导体表面生长一定厚度的另一种电学性能不同的半导体单晶薄膜，这种薄膜可以利用化学气相沉积或化学气相外延的方法制取。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条