1) Cu film
Cu膜
1.
Radio-frequency influences on Cu film deposited by unbalanced magnetron sputtering;
射频对非平衡磁控溅射沉积Cu膜的影响
2.
Study of Cu film deposited by high density plasma enhanced nonequilibrium magnetron sputtering;
高密度等离子体增强非平衡磁控溅射沉积Cu膜研究
3.
Cu films were prepared at room temperature by DC magnetron sputtering of Cu targets.
在室温条件下,用直流磁控溅射Cu靶制备出了不同厚度的Cu膜,测量了Cu膜的光学透过率和面电阻,分析了光电性质薄膜厚度的变化情况。
2) Cu films
Cu膜
1.
A study on the optical constants of Cu bulk and Cu films;
Cu块材及Cu膜的光学常数研究
2.
Cu films were deposited on carbon steel substrates at low temperatures(LT,164 K-115 K) and room temperature(RT) by ion plating.
采用离子镀技术于45#钢基体表面在低温(164~115 K)和常温(291 K)条件下沉积Cu膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究Cu膜的晶体结构及其表面形貌,采用划痕试验法测量Cu膜的临界载荷(Lc),在真空球-盘摩擦磨损试验机上考察其摩擦磨损性能并探讨其磨损机理。
3.
The Cu films were then characterized with X-ray diffraction (XRD), Auger electron spectroscopy (AES) and atomic force microscopy (AFM) .
用射频磁控反应溅射法在Si(111)单晶基体上沉积ZrN扩散阻挡层,随后在其上分别用直流脉冲平衡磁控溅射(BMS)和非平衡磁控溅射(UBMS)沉积Cu膜。
3) Cu-W thin film
Cu-W薄膜
1.
The surface morphology evolution and phase structures of Cu-W thin films with annealing temperatures were investigated.
提出了一种基于离散小波变换和分形几何概念定量描述薄膜表面形貌各向异性的新方法,并据此研究了磁控溅射Cu-W薄膜表面结构特征随退火温度的演变。
4) deposited Cu film
沉积Cu膜
5) evaporating Cu film
蒸镀Cu膜
6) copper thin film
Cu薄膜
1.
An in situ method for characterizing the kinetics of the oxidation process of copper thin films via sheet resistance;
方块电阻法原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律
补充资料：电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条