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1)  mid-frequency sputtering
中频溅射
2)  MF sputtering target
中频溅射靶
3)  medium frequency magnetron sputtering
中频磁控溅射
1.
Al containing diamond-like carbon(Al-DLC) thin films were deposited on Si substrate by medium frequency magnetron sputtering.
采用中频磁控溅射技术在单晶硅表面制备含铝类金刚石(Al-DLC)薄膜,利用原子力显微镜、X射线光电子能谱仪、红外光谱仪、纳米压痕仪和微摩擦磨损试验机等考察薄膜表面形貌、结构及其摩擦磨损性能。
2.
Er~(3+)_- doped Al_2O_3 films were fabricated by medium frequency magnetron sputtering, strong photoluminescence at 1535 nm was detected at the room temperature.
利用中频磁控溅射方法沉积制备了掺铒Al2O3薄膜,室温下测量了薄膜在1535nm波长处的光致发光光谱和抽运功率、掺铒浓度、退火温度对光致发光光谱强度的影响。
3.
This thesis presents investigations on the structure and properties of A1N films and nc-AlN/a-Si3N4 prepared by medium frequency magnetron sputtering.
本工作研究了中频磁控溅射制备AIN薄膜和nc-AIN/a-Si_3N_4复合薄膜及其结构与特性,并且研究了Mn~+离子注入AIN薄膜的电学和磁学性质。
4)  medium-frequency magnetron sputtering
中频磁控溅射
1.
The complex deposited process which fitted medium-frequency magnetron sputtering together with multi-arc ion plating,was utilized to prepare the MoS2 /Zr composite coating on the surface of cemented carbides YT14.
采用新型中频磁控溅射技术及多弧离子镀相结合的复合镀膜工艺,在硬质合金YT14基体上制备了MoS2/Zr复合薄膜。
5)  Mid frequency reactive sputtering
中频反应溅射
6)  mid-frequency magnetron sputtering
中频磁控溅射
1.
Using a Zn target with 2% Al,ZnO:Al(ZAO) thin films were deposited on glass substrate by mid-frequency magnetron sputtering.
采用中频磁控溅射工艺,以2%的Al掺杂的Zn(纯度99。
2.
Diamond-like carbon (DLC) thin films were deposited onto Si (100) and high speed steel substrates by mid-frequency magnetron sputtering system (SP0806AS,Beijing Power tech Co.
采用SP0806AS中频磁控溅射镀膜机,在硅(100)和高速钢基体上,采用双石墨靶在不同功率下沉积了类金刚石薄膜。
补充资料:大型铸钢主轨中频淬火回火工艺
1 引言

    主轨是长江三峡水利枢纽工程水下底孔事故门、深孔事故门及电站进水口快速门埋件上的重要组件之一,是水下闸门启闭时滚轮行走时的轨道。这些主轨要承受滚轮由于闸门受水压而产生的巨大压力及行走时的摩擦力,总水压最高达76MN,每个滚轮作用于主轨上的重量高达500t,所以要求主轨有良好的综合力学性能和足够深的表面硬化层。根据设计要求,材质为ZG42CrMo钢,基体硬度为240--260HB,表面有效硬化层深度≥15mm,表面硬度要求300-350HB,不允许有表层裂纹。

    主轨每根长4m,截面为工字梁,硬化工作面宽300mm。因为感应加热面宽,透热层及硬化层深,不允许有淬裂和变形,其热处理难度较大。这对如何选用合适的感应加热设备和淬火冷却介质以及制定出适宜的热处理工艺提出了较高要求。经计算[1],选用频率为150--250Hz的专用中频板式淬火机床作为加热设备,同时为使淬火后工件的硬度均匀,淬硬层深,变形小,不产生淬火裂纹,不造成环境污染,最终选用PAG类淬火剂[2],淬火液浓度为14%。

2.试验内容及试验方法

2.1 中频感应淬火机床参数试验
   
(1)试验方法:用中频淬火机床加热主轨(试件),调整中频淬火机床的电参数,测量主轨加热的温度,找出设备电参数与温度之间的对应关系。
    (2)试验设备:500V/250Hz中频板式淬火机床。

2.2 主轨表面感应淬火、回火工艺试验


    (1)试验方法:选用符合感应淬火前各项技术指标的主轨(包括调质硬度,探伤检测,变形量等),通过调整中频感应加热设备的电参数、淬火机床的移动速度及淬火冷却时间来控制主轨表面感应加热的温度,透热深度及淬透深度。
    (2)试验条件:工件材质为ZG42CrMo钢,成分(质量分数)(w%):0.43C,0.39Si,0.87Mn,1.12Cr,027Mo;调质硬度240--260HB;超声波探伤裂纹;采用WGG2-201型光学高温计、GXW-221非接触式光纤传感测温仪和目测相结合的方法确定温度;采用HLN-11A里氏硬度计和HB300布氏硬度计,分别测定淬火和回火后的硬度。
    (3)试验工件取样方法:为了能准确反映真实工件的技术指标,采用在合格的半成品主轨上取样。经感应处理后,选有代表性部位,用线切割方法取样。试块(剖片)厚度为l5mm,经磨床磨光后进行检测。

    3 试验结果与讨论

   
(1)中频感应淬火机床参数试验结果见表1,从中可以看出,工件感应加热时的温度与工件移动速度,感应器电压(二次电压)等参数之间有对应关系,同一温度,可以有两种以上的速度-电压组合,这有利于感应加热时对温度均匀性及透热深度的调整。

表1 中频感应加热淬火机床各参数间的关系
加热温度/℃
移动速度/mm·min-1
二次电压/V
中频功率/kW
中频频率/Hz
中频输入电压/V
850~860
100
104.1
200
210
570
850~870
100
115.3
300
225
640
860~880
150
120.5
350
230
650
530~560
100
78.2
100
180
430
560~580
150
80.2
120
190
460
600~650
150
100.3
200
193
530

    (2)主轨感应加热淬火试验 主轨感应加热淬火电气参数见表2。由表2可以看出,由于工件有4m的长度,随着感应加热的进行,在工件两端和中间中频设备的频率和功率都有一定范围的波动,引起二次电压及工件加热温度的变化,这与工件加热时的变形(上拱和下弯)有关,它使得工件与感应器之间的间隙发生变化,试验证明,只要保持二次电压的稳定,即可保证淬火温度的基本稳定。

表2 主轨感应加热淬火电气参数间的关系
感应加热电压/V
中频功率/kW
中频频率/Hz
中频输电压/V
直流电压/V
直流电流/kA
加热温度/℃
工件位置
120.2
285
210
650
460
0.71
850~880
120.2
320
210
660
460
0.81
860~880
120.1
355
218
660
480
0.82
860~880
120.3
358
220
660
480
0.85
850~880
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条