1) microwave sintering reaction
微波反应烧结
2) microwave sintering
微波烧结
1.
Influence of microwave sintering on microstructures and properties of copper powder metallurgy material;
微波烧结对粉末冶金铜材显微组织与性能的影响
2.
Preparation of WC-10Co cemented carbide by microwave sintering;
微波烧结法制备WC-10Co硬质合金
3.
Research progress in microwave sintering technology;
微波烧结技术的研究进展
3) reaction sintering
反应烧结
1.
Microstructure and properties of Mo_2FeB_2 cermets clad layer by reaction sintering;
反应烧结三元硼化物金属陶瓷覆层的组织与性能
2.
Densification of laser ignited reaction sintering of Ni-Al-Cu powder alloy;
Ni-Al-Cu粉末合金激光点火反应烧结的致密化研究
3.
The samples prepared by general sintering and reaction sintering are investigated by XRD,SEM and other testing means for their structure and performance.
采用常规烧结法和反应烧结法烧结制品,并利用XRD和SEM等测试手段对制品的结构与性能进行了分析研究。
4) reactive sintering
反应烧结
1.
Preparation of cemented carbide having highly oriented WC grains by reactive sintering of W-Co-Nano carbon tubes;
W-Co-纳米碳管反应烧结制备高度取向硬质合金
2.
Densification behavior during reactive sintering of compacted Ti/Al composite powders prepared by high energy ball milling;
高能球磨Ti/Al复合粉体的反应烧结致密行为
3.
Temperature model of reactive sintering of Ni Al thermal spray layer;
Ni-Al喷涂层中温反应烧结的温度变化模型
5) reaction-bonded
反应烧结
1.
Low density silicon nitride with about 55% porosity and globed macropores was prepared by reaction-bonded raw silicon powder and adding 30% in mass pore-forming agent of benzoic acid ball-like particles.
以硅粉为原料,添加质量分数为30%的成孔剂(苯甲酸)球形颗粒,反应烧结制备了气孔率为55%,具有球形宏观孔的低密度多孔氮化硅陶瓷。
2.
A near-net-shape SiC was prepared by reaction-bonded from a pure carbon perform which was fabricated by mould from graphite power as raw and phenolic resin as binder.
以石墨粉体为原料,酚醛树脂为粘接剂,采用模压成型工艺制备了全碳质素坯,反应烧结后得到S iC材料。
3.
The effects of carbon content, moulding pressure, and carbon particle size of green body on microstructure and properties of reaction-bonded silicon carbide (RBSC) have been investigated.
研究了反应烧结碳化硅陶瓷的显微组织和性能与生坯碳含量、成型压力以及碳粉粒度的关系。
6) reaction bonded
反应烧结
1.
SiC platelets/C preform was infiltrated with liquid silicon to prepare reaction bonded silicon carbide(RBSC) materials.
以液Si浸渗SiC片晶和C的坯体制备了SiC片晶增韧反应烧结SiC陶瓷材料,讨论了SiC片晶的掺加分数及烧结温度对材料显微结构和力学性能的影响,并比较了所得材料与传统反应烧结材料的力学性能。
2.
The high temperature oxidation kinetics of a reaction bonded silicon carbide oxided in air at 1 300℃ were investigated.
研究了反应烧结碳化硅陶瓷在1300℃空气中的高温氧化行为,结果表明:高温氧化过程中在试样表面出现的非晶态SiO2晶化以及氧化膜起裂,使得该陶瓷氧化曲线遵循对数氧化规律。
3.
The relation between microstructure and resistivity of reaction bonded silicon carbide (RBSiC) is examined.
研究了反应烧结碳化硅及随后经１６５０℃和１８００℃除硅处理后，材料的显微组织与电阻率之间的关系。
补充资料：陶瓷微波烧结
陶瓷微波烧结
mierowave sinteriflg of eeramies
陶瓷微波烧结mierowave sinteri眼of ceramiCs利用陶瓷及其复合材料在微波电磁场中的介电损耗，使其整体加热至烧结温度而实现致密化快速烧结。微波烧结技术最早出现于1976年。80年代中期以前，微波烧结仅限于容易吸收微波而烧结温度较低的陶瓷材料。1986年后，用微波烧结技术成功地烧结出Al 2 03、Zr()2、PZT、A儿03一TIC等陶瓷材料和陶瓷超导材料。微波装置功率也从数百瓦达到200千瓦，频率从915MHz达到60G玉12。 微波烧结的本质是微波电磁场与材料的相互作用，由高频交变电磁场引起陶瓷材料内部的自由或束缚电荷，如偶极子、离子和电子等的反复极化和剧烈运动，在分子间产生碰撞、摩擦和内耗，将微波能转变成热能，从而产生高温，达到烧结目的。 微波烧结具有以下特点:①极快的加热速度和烧结速度。传统烧结是通过外部热源的辐射及材料由表及里的热传导来加热的。微波烧结则是利用材料整体吸收微波能，在材料内部加热。由于这种独特的体内均匀加热机理，升温速度极快，一般可超过500℃/min，从而大大缩短烧结时间。②降低烧结温度。可以在低于常规烧结温度几百度情况下，烧结出与常规方法同样密度的制品。③改进材料的显微结构和宏观性能。由于烧结速度快，时间短，从而避免了陶瓷材料烧结过程晶粒的异常长大，有希望获得具有高强度、高韧性的超细晶粒的结构。例如常规方法烧结密度为99%的A1203，平均晶粒尺寸为8召m，而用微波烧结仅为0.8召m。④经济、简便地获得2000℃以上的超高温。在微波烧结中只有试样本身处于高温，因此整个装置紧凑、简单、低成本。⑤高效节能。节能效率可达50%左右。这是因为微波直接为材料吸收转化成热能，而烧结时间特别短。⑥无热惯性，便于实现烧结的瞬时升、降温自动控制。 (蔡杰)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条