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1)  photoluminescence [,fəutəu,lju:mi'nesns]
光致发光光谱
1.
Study on Raman Spectra and Photoluminescence of SnO_2 Nanowires;
氧化锡纳米线的拉曼光谱和光致发光光谱研究
2.
The photoelectric properties of them have been measured by the photoluminescence (PL) and photocurrent (PC) spectra.
利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性;利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质。
3.
A strong photoluminescence at 1535nm is detected at the room temperature.
在室温下检测到了薄膜的位于1535nm的很强的光致发光光谱(PL),并在光学掩模下用BCl3离子束对薄膜样品进行刻蚀,得到条形光波导。
2)  photoluminescence spectra
光致发光光谱
1.
The absorption and photoluminescence spectra of the CdSe/ZnS quantum dots dispersed in hexane and toluene solution are measured in different temperatures.
测量了分散于正己烷溶液和甲苯溶液中的CdSe/ZnS量子点在室温到近溶液沸点温度间的吸收与光致发光光谱,比较了两种不同的CdSe/ZnS量子点的光谱特性,讨论了温度对吸收和光致发光光谱峰值波长以及相对强度的影响。
3)  PL spectra
光致发光光谱
4)  Photoluminescence spectroscopy
光致发光光谱
1.
The study of semiconductor photocatalysts by the photoluminescence spectroscopy can not only give the information of defect states in semiconductors, but also the information of transfer, trapping and separating of the photogenerated charge carriers.
光致发光光谱是一种研究半导体材料电子结构、光学及光化学性质的有力技术。
5)  PL
光致发光光谱
1.
From the PL spectrum,the UV emission peak of the sample annealed in vacuum increase clearly and deep-level emi.
光致发光光谱中发现,真空退火后的样品的紫外光谱峰显著增强,而深能级发射峰几乎消失。
6)  photoluminescence spectra
光致发光谱
1.
Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different ions;
离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究
2.
The influence of MgF_2 doping on the luminescence properties of lead tungstate(PbWO_4,PWO)crystal has been investi- gated by correlated measurements of transmission spectra and photoluminescence spectra and light yield.
通过透射光谱、光致发光谱、光产额的测试,研究了提拉法生长的掺MgF_2的钨酸铅(PbWO_4,PWO)晶体的发光性能。
3.
Photoluminescence spectra peaks as a function.
本文通过Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体超晶格ZnSe/Zn1-xMnxSe的光致发光谱的测量,对其应力效应进行了讨论。
补充资料:光致发光
      用光激发发光体引起的发光现象。它大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段。光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁,都经过激发态。而能量传递则是由于激发态的运动。
  
  激发态的分布按能量的高低可以分为三个区域。低于禁带宽度的激发态主要是分立中心的激发态。关于这些激发态能谱项及其性质的研究,涉及到杂质中心与点阵的相互作用,可利用晶体场理论进行分析。随着这一相互作用的加强,吸收及发射谱带都由窄变宽,温度效应也由弱变强,特别是猝灭现象变强,使一部分激发能变为点阵振动。在相互作用较强的情况下,激发态或基态都只能表示中心及点阵作为一个统一系统的状态。通常用位形坐标曲线表示。电子跃迁一般都在曲线的极小值附近发生。但是,近年关于过热发光的研究,证明发光也可以从比较高的振动能级起始,这在分时光谱中可得到直观的图像,反映出参与跃迁的声子结构。
  
  接近禁带宽度的激发态是比较丰富的,包括自由激子、束缚激子及施主-受主对等。当激发密度很高时,还可出现激子分子,而在间接带隙半导体内甚至观察到电子-空穴液滴。 激子又可以和能量相近的光子耦合在一起,形成电磁激子(excitonic polariton)。束缚激子的发光是常见的现象,它在束缚能上的微小差异常被用来反映束缚中心的特征。在有机分子晶体中,最低的电子激发态是三重激子态,而单态激子的能量几乎是三重态激子能量的两倍。分子晶体中的分子由于近邻同类分子的存在,会出现两种效应:"红移"(约几百cm-1)及"达维多夫劈裂"。这两种效应对单态的影响都大于对三重态的影响。
  
  
  能量更高的激发态是导带中的电子,包括热载流子所处的状态。后者是在能量较高的光学激发下。载流子被激发到高出在导带(或价带)中热平衡态的情况,通常可用电子(或空穴)温度(不同于点阵温度)描述它们的分布。实验证明,热载流子不需要和点阵充分交换能量直至达到和点阵处于热平衡的状态即可复合发光,尽管它的复合截面较后者小。热载流子也可在导带(或价带)内部向低能跃迁。这类发光可以反映能带结构及有关性质。
  
  激发态的运动是发光中的重要过程,能量传递是它的一个重要途径。分子之间的能量传递几率很大,处于激发态的分子被看作是激子态。无机材料中的能量传递也非常重要,在技术上已得到应用。无辐射跃迁是激发态弛豫中的另一重要途径。对发光效率有决定性的影响。
  
  光致发光最普遍的应用为日光灯。它是灯管内气体放电产生的紫外线激发管壁上的发光粉而发出可见光的。其效率约为白炽灯的5倍。此外,"黑光灯"及其他单色灯的光致发光广泛地用于印刷、复制、医疗、植物生长、诱虫及装饰等技术中。上转换材料则可将红外光转换为可见光,可用于探测红外线,例如红外激光的光场等。
  
  光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、灵敏度高的分析方法。激光的应用更使这类分析方法深入到微区、选择激发及瞬态过程的领域,使它又进一步成为重要的研究手段,应用到物理学、材料科学、化学及分子生物学等领域,逐步出现新的边缘学科。
  

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参考词条