1) Hydrogenated indium nitride cluster
氮化铟氢化物
2) Indium hydride
铟氢化物
3) indium-tin hydroxide
铟锡氢氧化物
1.
The experimental results show that amorphous indium-tin hydroxide composite powder was first transformed into amorphous 1TO composite powder, then into crystal ITO composite powder, and the temperature of crystallization is about 390℃.
采用热分析、XRD等方法,研究了用化学共沉淀法制备的铟锡氢氧化物复合粉末在煅烧过程中的变化规律。
4) InN
[英][ɪn] [美][ɪn]
氮化铟
1.
First-principles study of the p-type doped InN;
氮化铟p型掺杂的第一性原理研究
2.
LATTICE VIBRATIONAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTOR InN;
半导体氮化铟(InN)的晶格振动
3.
Preparation and Characterization of InN Nanowires and Nano-tubes;
氮化铟纳米线和纳米管的制备与表征
5) Indium Hydroxide
氢氧化铟
1.
Indium-Tin oxide(ITO)precursors,cubic Indium Hydroxide(In(OH)3),was prepared by a co-precipitation method.
文章采用共沉淀法制备了立方结构的铟锡氧化物(ITO)前驱体氢氧化铟(In(OH)3)。
2.
In this paper, the synthesis and optical properties of indium hydroxide/oxide micro/nanostructure, yttrium hydroxide/oxide micro/nanostructure have been reported, and the photonic structures and optical properties of the butterfly wings and their corresponding inorganic replica have been also investigated.
氢氧化铟和氧化铟是重要的半导体材料,块体的氧化铟在室温下没有任何荧光性质,但当尺寸减小到纳米级时,由于晶体有氧空穴的存在,所以具有了良好的荧光性质。
6) Hln~x molecular ions potentional
氢化铟
补充资料：氮化铟单晶
分子式：
CAS号：
性质：InN 周期系第III，V族化合物半导体。六方晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.3533nm。密度6.88g/cm3。熔点1200℃。导带极小值与价带极大值位于布里渊区中心，为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.95eV。电阻率4×10-5Ω·m。620℃真空下易分解。
CAS号：
性质：InN 周期系第III，V族化合物半导体。六方晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.3533nm。密度6.88g/cm3。熔点1200℃。导带极小值与价带极大值位于布里渊区中心，为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.95eV。电阻率4×10-5Ω·m。620℃真空下易分解。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条