1) SiO2 buffer layer
二氧化硅缓冲层
2) SiC buffer layers
碳化硅缓冲层
4) ZrO_2 buffer layer
氧化锆缓冲层
5) CeO_2 buffer layer
氧化铈缓冲层
6) Oxidizing layer/Molybdenum disilicide
氧化层/二硅化钼
补充资料:碳化硅晶须补强碳化硅陶瓷基复合材料
分子式:
CAS号:
性质:以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用,获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
CAS号:
性质:以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用,获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条