1) silica coating
二氧化硅膜层
2) Si/SiO 2 multilayers
硅/二氧化硅多层膜
3) silica membrane
二氧化硅膜
1.
Methyl-modified silica membranes were prepared by acid catalysed co-hydrolysis and condensation reaction of tetra-ethylortho-silicate(TEOS) and methyl-tri-ethoxy-silane(MTES) in ethanol and characterized by TGA,FTIR and gas permeation.
用甲基三乙氧基硅烷(MTES)代替部分正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱物,通过共水解缩聚反应可制得甲基修饰的二氧化硅膜。
2.
Microporous silica membranes on Υ-Al2O3/α-Al2O3 porous supports were prepared by a sol-gel process, and characterized by IR, TG, FE-SEM,N2 adsorption as well as gas permeation.
利用溶胶-凝胶法在Υ-Al2O3/α-Al2O3多孔支撑体上合成了微孔二氧化硅膜,并用IR、TG、FESEM、N2吸附以及气体渗透等手段对二氧化硅膜进行了研究。
3.
The surface wettability,surface structure and water absorbed amount of the silica membranes were investigated.
以正硅酸乙酯(TEOS)、甲基三乙氧基硅烷(MTES)为硅源,硝酸为催化剂,制备了甲基修饰的二氧化硅膜,研究了MTES改性二氧化硅膜的表面润湿性与表面结构的关系以及MTES改性二氧化硅膜的吸水率。
4) silica film
二氧化硅膜
1.
Synthesis of silica film using tetraethylorthosilicate;
利用正硅酸乙酯制备二氧化硅膜
6) Oxidizing layer/Molybdenum disilicide
氧化层/二硅化钼
补充资料：二氧化硅膜
分子式：SiO2
CAS号：
性质：一种无定形玻璃状结构的电解质膜，为近程有序网状结构。禁带宽度8.1ev。密度2.2g/cm3。介电系数3.9。折射率1.45～1.47。电阻率1013～1015Ω·m。熔点1700℃。采用在硅片上热氧化、阳极氧化、化学气相沉积法制备，是半导体硅器件的优良的表面保护膜和表面钝化膜。
CAS号：
性质：一种无定形玻璃状结构的电解质膜，为近程有序网状结构。禁带宽度8.1ev。密度2.2g/cm3。介电系数3.9。折射率1.45～1.47。电阻率1013～1015Ω·m。熔点1700℃。采用在硅片上热氧化、阳极氧化、化学气相沉积法制备，是半导体硅器件的优良的表面保护膜和表面钝化膜。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条