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1)  F ions implantation and etching of barrier layer
F离子注入和势垒层腐蚀
2)  ion implanted barrier
离子注入势垒
3)  injection barrier
注入势垒
1.
The insertion of this ultra-thin film results in a similar reduction of the hole injection barrier,which is related to the thickness of the film.
Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITO中In向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率。
4)  ion implanted layer
离子注入层
例句>>
5)  reactive ion etch and plasma etch
反应离子腐蚀和等离子腐蚀
1.
A new way of using reactive ion etch and plasma etch to make sharptips for vacuum pressure sensor is presented in this paper.
主要介绍利用反应离子腐蚀和等离子腐蚀相结合的方法制作真空微电子压力传感器中锥尖阵列。
6)  hole injection barrier
空穴注入势垒
1.
Analogy of hole injection barrier indicates that the interface barrier of ITO is lowered after being treated with the high frequency discharge method using hole-only devices.
用单载流子器件模拟表明ITO经高频放电处理后降低了器件界面的空穴注入势垒。
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8

性质：暂无

制备方法：暂无

用途：用于轻、中度原发性高血压。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条