1) He and Si ion implantation
He离子和Si离子注入
2) He and H ion implantation
He和H离子注入
3) He ion implantation
He离子注入
1.
Damage production in crystalline silicon induced by 40 keV He ion implantation;
40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究
4) Si and Cu implantation
Si和Cu离子注入
6) ion implantation and ion beam
离子注入和离子束
补充资料：离子注入
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：用高速离子轰击格料，使被轰击材料表面形成一定深度的注入层，注入进去的元素可以使注入层的物理性、化学组成和结构发生变化，从而使材料改性。
分子量：
CAS号：
性质：用高速离子轰击格料，使被轰击材料表面形成一定深度的注入层，注入进去的元素可以使注入层的物理性、化学组成和结构发生变化，从而使材料改性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条