1) Si wafer crystal direction
硅片晶向
2) cold-rolled grain oriented silicon steel sheet
冷轧晶粒定向硅钢片
4) silicon wafer
单晶硅片
1.
The contact stiffness,hardness and elastic modulus of silicon wafers were continuously measured during the loading por- tion of an indentation test by a nanoindenter apparatus with the continuous stiffness measurement technique.
利用纳米压痕仪通过连续刚度测量法对单晶硅片在压入过程中的接触刚度、硬度、弹性模量进行了连续测量。
2.
The contact pressure distribution between silicon wafer and polishing pad and the effect of the retaining ring on it wer.
为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中护环对接触压强分布的影响规律,从有护环化学机械抛光实际出发,建立了抛光过程的接触力学模型和边界条件,利用有限元法对有护环抛光接触状态时的接触压强分布进行了计算和分析,并利用抛光实验对计算获得结果进行了验证。
3.
In order to obtain the effect of carrier film on contact pressure distribution in the chemical-mechanical polishing(CMP) of silicon wafer,a mechanism model and a boundary equation were set up,then the contact pressure distribution was calculated and analyzed by use of finite element method,and the calculated result was verified by polishing experiments.
为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中背垫对接触压强分布的影响规律,建立了有背垫抛光过程的接触力学模型和边界条件,利用有限元方法进行了有背垫时的接触压强分布的计算与分析,并利用抛光实验对计算结果进行了验证,获得了硅片与抛光垫的接触表面压强分布形态,以及背垫的物理参数对压强分布的影响规律。
5) silicon wafer
硅晶片
1.
Theory and experiment on hydrodynamic suspension ultra-smooth machining for silicon wafers;
硅晶片的液流悬浮超光滑加工机理与实验
2.
Research on the Intelligent Labeling Machine for Silicon Wafers;
智能硅晶片贴标机的研制
3.
Double sided polishing process has become a main machining method for silicon wafer finishing process, but it is difficult to get ultra-smooth surface with the very stringent machining conditions.
双面抛光已成为硅晶片的主要后续加工方法,但由于需要严格的加工条件,很难获得理想的超光滑表面。
6) polycrystalline silicon sheet
多晶硅片
1.
The polycrystalline silicon sheets with columnar grain structure are made by controlling the solidification processing of the silicon sheets.
通过对硅片凝固过程的控制，制得２０ｍｍ×２０ｍｍ×１，２ｍｍ具有柱状晶组织的多晶硅片，表面平整，晶粒平均尺寸０。
补充资料：晶粒取向硅钢
晶粒取向硅钢
silicon steel with oriented grain
J ing}一quxlang gulgang晶粒取向硅钢(silieon steel with orientedgrain)通过形变和再结晶退火产生晶粒择优取向的硅铁合金，硅含量约3%，碳含量很低。产品为冷轧板或带材，公称厚度为0.15、0.23、0.28、0.30和0.35mm。主要用于制造各种变压器、日光灯镇流器和汽轮发电机定子铁芯。在输电和配电系统中消耗6%一10%电能，其中约60%消耗在输、配电导线中，约40%消耗在变压器中。变压器总损耗中铁损和铜损各占约5。%，而铁损与用以制造铁芯的硅钢质量直接相关。 分类和特点晶粒取向硅钢(以下简称取向硅钢)分为普通取向硅钢(GO钢)和高磁感(高导磁)取向硅钢(Hi一B钢)两类。GO钢平均位向偏离角约为7o，晶粒直径为3一smm，磁感B。约为1.82T。Hi一B钢偏离角约为3，晶粒直径为10~Zomrn，B。约为x.92T。因为Hi一B钢取向度和B:高，铁损至少降低15%，磁致伸缩系数比GO钢也明显降低，制成的变压器铁损降低10%一15%，激磁电流降低40%一50%，噪音下降4一7dB。取向硅钢晶粒大，特别是Hi一B钢晶粒更大，磁畴尺寸大，而且主要为180。磁畴。铁损中涡流损耗尸。与反常损耗尸a之和比磁滞损耗尸h大1.5一2.0倍，而尸a又比Pe大1一2倍，因此主要目标是降低尸e，特别是尸a。因为尸e十尸aOCZLtZ/夕(ZL为畴壁间距，t为板厚，召为电阻率)。80年代以来日本采取减薄钢板厚度、提高硅含量(从2.9%一3.1%提高到3.2%~3.4%)和细化磁畴三项技术措施，先后开发了3个GO钢和3个Hi一B钢新牌号，生产了0.18和0.23mm厚的新品种。生产上采用了激光照射和齿状辊加工等细化磁畴技术。 化学成分电工钢对化学成分要求严格，规定的成分范围窄。硅控制在2.9%一3.1%，高牌号提高到3.2%一 3.4%。硅含量每提高0.1%，铁损P17可降低0.o19w/kg。碳为0.03%一0.05%(GO钢)或0.05%一0.08%(Hi一B钢)。保证铸坯热轧时存在20%~30%丫相，防止热轧板沿厚度方向的中心区形成粗大形变晶粒而使产品出现线状细晶。Hi一B钢碳量更高是为了高温退火时有更多数量的7相，以保证获得大量细小AIN。因为氮在下相中固溶度比在a相中约大9倍。硅含量提高，碳含量也要相应提高。锰规定为。.05%一0.10%，硫为0.oxs%一0.03%，以保证细小MnS析出量。Hi一B钢的锰和硫含量偏上限，目的是提高铸坯加热和热轧温度，减少AIN析出量，以后高温常化时析出更多细小AIN。Hi一B钢中酸溶铝Al，(总AI一A12O:中Al)规定为0. 02%一0.03%，氮为0.006%一。.01%，以保证高温常化后细小AIN析出量。磷量等于或小于0.015%。
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参考词条