1) varying density interface
变密度界面
2) interfacial density
界面密度
1.
With a simple coarse-grained model,the properties of sodium dodecylbenzene sulphonate (SDBS) adsorbed at the water/oil interface,has been investigated on a mesoscopic level by considering the variation of interfacial density using dissipative particle dynamics (DPD) simulation.
采用耗散颗粒动力学(DPD)方法在介观层次上模拟了表面活性剂烷基苯磺酸盐在油/水界面的排布行为,考察了分子结构、浓度、盐度、油相等因素对表面活性剂界面密度和界面效率的影响,并探讨了利用表面活性剂复配协同效应提高界面活性的理论机制。
3) density interface
密度界面
1.
Spline function method for forward and inverse problems of 2-D density interface;
二维密度界面正反演的样条函数法
2.
The purpose of this paper is to inverse directly the multi layer density interface by means of genetic algorithms, one of the global optimization methods.
利用具有全局优化功能的遗传算法直接反演多层密度界面 。
3.
There are four density interfaces in CCL-SZ area in the Songliao basin.
松辽盆地 CCL-SZ 地区存在四个密度界面。
4) interface state density
界面态密度
1.
Amethod of the interface state density measurement was proposed.
对形成钛酸钡系半导瓷ＰＴＣＲ效应的界面态进行了探讨，分析了在居里点以上由于界面态和介电常数的共同作用引起的材料电阻率猛增几个数量级的原因；同时对钛酸钡系ＰＴＣＲ半导瓷界面态的组成进行了研究，并提出一种直接测量界面态密度的方法。
5) critical density plate
临界密度面
6) interface-state density
界面态密度
1.
The electrical measurement results indicate the increase of permittivity due to the introduction of Ti and the decrease of equivalent oxide thickness,but the interface-state density increases too.
电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。
2.
The TCE technique is superior to the others because the dielectric subject to TCE surface treatments possesses a tremendously reduced interface-state density and effective oxide thickness.
结果表明,预处理能改善界面和近界面特性,减小界面层厚度,尤其是新颖的TCE+少量O2的表面处理工艺,能有效抑制界面层的生长,大大降低界面态密度,减小栅极漏电流。
补充资料：非密度制约因素(见密度制约因素)
非密度制约因素(见密度制约因素)
l焦非密度制约因素见生态因素、密度制约后
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条