1) interface electron density
界面电子密度
1.
The results indicated that the covalent electrons on the strongest bond in ceramic phases (nA) and the interface electron density between ceramic phases and α-Fe in TiC/Fe cermets which adding Mo increased, .
结果发现:Mo的加入使陶瓷相的最强共价键nA增强、陶瓷相与α-Fe相之间界面电子密度增加,有利于α-Fe相对陶瓷相的润湿改善,初步分析了这种微观电子结构的变化与宏观润湿性之间的关系。
2.
Based on the empirical electron theory of solid and molecule,the electron structure of α-Fe/α-Fe-M X and α-Fe/Fe3P phase interfaces were calculated,the real reason for phosphorus to cause cold short of steel with the interface electron density difference △ρ was analysised.
基于固体与分子经验电子理论(EET),计算了α-Fe/α-Fe-MX和α-Fe/Fe3P的相界面电子结构,并利用相界面电子密度差△ρ分析了非金属元素P引起冷脆的根本原因。
2) electron areal density
电子面密度
1.
The ground state binding energies are calculated as functions of the quantum dot radius and the electron areal density.
在有效质量近似下采用变分法以及界面处导带弯曲用三角势近似,研究了氮化物半导体GaN/Ga1-xAlxN材料中杂质态的结合能随量子点尺寸及电子面密度的变化关系。
2.
The relations between the binding energy and the impurity position, the electron areal density with and without screenin.
对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区
3.
Considering the hydrostatic pressure and a position dependent mass,the relations among the impurity binding energies,the hydrostatic pressure,quantum dot radius and the electron areal density were calculated.
考虑界面处导带弯曲,流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性,采用变分法以及简化相干势近似,研究了无限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的界面效应,计算了杂质态结合能随量子点尺寸、电子面密度以及压力的变化关系。
3) interface charge density
界面电荷密度
4) charge density of interface
界面电行密度
5) interfacial density
界面密度
1.
With a simple coarse-grained model,the properties of sodium dodecylbenzene sulphonate (SDBS) adsorbed at the water/oil interface,has been investigated on a mesoscopic level by considering the variation of interfacial density using dissipative particle dynamics (DPD) simulation.
采用耗散颗粒动力学(DPD)方法在介观层次上模拟了表面活性剂烷基苯磺酸盐在油/水界面的排布行为,考察了分子结构、浓度、盐度、油相等因素对表面活性剂界面密度和界面效率的影响,并探讨了利用表面活性剂复配协同效应提高界面活性的理论机制。
6) density interface
密度界面
1.
Spline function method for forward and inverse problems of 2-D density interface;
二维密度界面正反演的样条函数法
2.
The purpose of this paper is to inverse directly the multi layer density interface by means of genetic algorithms, one of the global optimization methods.
利用具有全局优化功能的遗传算法直接反演多层密度界面 。
3.
There are four density interfaces in CCL-SZ area in the Songliao basin.
松辽盆地 CCL-SZ 地区存在四个密度界面。
补充资料：电子密度拓扑分析
使用数学上拓扑的方法，对分子结构以及电子密度进行研究。由德国人拜德创建的新兴学科。
主要研究对象是分子的化学键的性质和一些关键点的性质。
河北师范大学化学与材料科学学院的量子化学研究所使用自编的gta06程序在从事这项研究工作多年。主要研究化学反应过渡态及反应通道。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条