1) SHBT
单异质结双极性晶体管
1.
The design and realization of a 10 Gb/s transimpedance amplifier were reported based on base-emitter self-align and InGaAs/InP SHBT triple mask process.
介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。
2) single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)
单异质结双极型晶体管
3) single heterojunction bipolar transistor
单异质结双极晶体管
1.
A self-aligned InP/GaInAs single heterojunction bipolar transistor(HBT) is investigated using a novel T-shaped emitter.
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管。
4) heterojunction bipolar transistor(HBT)
异质结双极性晶体管(HBT)
5) double heterojunction bipolar transistor
双异质结双极晶体管
1.
We report the performance of the first self-aligned InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) produced in China.
报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能。
6) DHBT
双异质结双极晶体管(DHBT)
补充资料：异质结双极型晶体管
发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为"宽发射区"晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgB大于基区材料的禁带宽度EgE（图1）。图中 N代表能带宽的区域。从发射区向基区注入的电子流 Ip和反向注入的空穴流Ip所克服的位垒高度是不同的,二者之差为墹Eg＝EgE-EgB,因而空穴的注入受到极大抑制。发射极效率主要由禁带宽度差墹Eg决定，几乎不受掺杂比的限制。这就大大地增加了晶体管设计的灵活性。
图2为典型的NPN台面型GaAlAs/GaAs异质结晶体管的结构和杂质剖面图。这种"反常"的杂质剖面能大幅度地减小发射结电容（低发射区浓度）和基区电阻（高基区浓度）。最上方的N+－GaAs顶层用来减小接触电阻。这种晶体管的主要电参数水平已达到：电流增益hfe1000,击穿电压BV120伏，特征频率fT15吉赫。它的另一些优点是开关速度快、工作温度范围宽(-269～+350)。
除了NPN型GaAs宽发射区管外，还有双异质结NPN型GaAs管、以金属做收集区的NPM型GaAs和PNP型GaAs管等。另一类重要的异质结晶体管是 NPN型InGaAsP／InP管。InGaAsP具有比GaAs更高的电子迁移率,并且在光纤通信中有重要应用。异质结晶体管适于作微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。已试制出相应的高速数字电路(I2L)和单片光电集成电路。
图2为典型的NPN台面型GaAlAs/GaAs异质结晶体管的结构和杂质剖面图。这种"反常"的杂质剖面能大幅度地减小发射结电容（低发射区浓度）和基区电阻（高基区浓度）。最上方的N+－GaAs顶层用来减小接触电阻。这种晶体管的主要电参数水平已达到：电流增益hfe1000,击穿电压BV120伏，特征频率fT15吉赫。它的另一些优点是开关速度快、工作温度范围宽(-269～+350)。
除了NPN型GaAs宽发射区管外，还有双异质结NPN型GaAs管、以金属做收集区的NPM型GaAs和PNP型GaAs管等。另一类重要的异质结晶体管是 NPN型InGaAsP／InP管。InGaAsP具有比GaAs更高的电子迁移率,并且在光纤通信中有重要应用。异质结晶体管适于作微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。已试制出相应的高速数字电路(I2L)和单片光电集成电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条