1) HBT
异质结双极晶体管
1.
DC Performance of AlGaInP/GaAs HBT with Different Base/Collector Junction Structure;
不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管
2.
DC performance of AlGaInP/GaAs HBT;
AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究
3.
In this work,our modeling research focuses on two-step Ge profile base SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) manufactured by IMEC advanced 0.
13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25~125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量,提取了该器件在25~125℃范围内的温度可变Mextram504模型参数。
2) heterojunction bipolar transistor
异质结双极晶体管
1.
A novel InP/InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor (DHBT) structure is designed,in which a thin heavily doped n~+-InP layer between the base and the collector is used to eliminate the energy spike at the B-C junction and overcome the electron blocking effect.
设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应。
2.
Based on the large signal equivalent circuit model of SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT),a SiGe HBT transport current model is developed that takes the influence on carrier transport of the energy band discontinuity of the emitter into account.
基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGeHBT传输电流模型。
3.
This paper discussed an analytical method for determining the heterojunction bipolar transistors (HBTs) equivalent circuit model.
提出一种求解异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路模型的解析方法。
5) double heterojunction bipolar transistor
双异质结双极晶体管
1.
We report the performance of the first self-aligned InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) produced in China.
报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能。
6) DHBT
双异质结双极晶体管(DHBT)
补充资料：异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）
异质结双极晶体管（heterojunctionbipolartransistor）
简称HBT。将双极晶体管中的发射结做成异质结形成的晶体管称为异质结双极晶体管。双极晶体管中的异质结界面应做成突变结才能得到最高的少子注入效率。因为异质结宽带发射极的注入效率高，所以异质结双级晶体管的放大倍数将比同类型的普通双极晶体管高。如果不要求放大倍数十分高，则异质结注入比高的优点可利用来降低发射结的电容和基区的电阻，从而提高异质结双极晶体管的频率特性。如果将基区的组分做成渐变的形式，就相当于基区存在着一个等效电场，它将使注入的少子通过基区的渡越时间缩短，从而进一步提高异质结双极晶体管的频率响应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条