1) HBT (heterojunction bipolar transistor)
HBT(异质结双极型晶体管)
2) heterojunction bipolar transisters(HBT)
异质结双极型晶体管(HBT)
3) HBT
异质结双极晶体管(HBT)
4) heterojunction bipolar transistor(HBT)
异质结双极性晶体管(HBT)
5) heterojunction bipolar transistor(HBT)
异质结双极晶体管(HBT)
6) SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs)
SiGe异质结双极晶体管(HBT)
补充资料：双极型晶体管
| 双极型晶体管 bipolar transistor 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条