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1)  n-type doping window layer
n型的掺杂窗口层
2)  p-type doping window layer
p型的掺杂窗口层
3)  n doped drain
n 型掺杂的漏极
4)  n doped source
n 型掺杂的源极
5)  n-type doping
n型掺杂
1.
In this paper we mainly study preparation, properties and n-type doping of cubic boron nitride thin films.
本文主要研究立方氮化硼的制备、性质和n型掺杂等内容。
2.
In this paper, the mechanisms of the reaction about N-type doping polysilicon which take PCl_3/H_2 as phosphor source were investigated theoretically for the first time with Gaussian98 program at B3LYP/6-311G** level.
本文分别研究了PCl_3/H_2在气相中和在硅衬底表面上的微观反应机理,以期为半导体N型掺杂技术提供必要的理论依据。
6)  doping mask window
掺杂掩模窗口
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8

性质:暂无

制备方法:暂无

用途:用于轻、中度原发性高血压。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
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