1) boron (nitrogen)-doping
B(N)掺杂
2) B-doping
B掺杂
1.
Theoretic Calculation on the Electronic Structures of Sr_2MgSi_2O_7 by B-doping;
B掺杂Sr_2MgSi_2O_7电子结构的理论计算
2.
XRD spectra and SEM photos indicate that B-doping plays a great role on the microstructure of ZnO films.
研究了利用LPMOCVD技术制备的不同B掺杂浓度对ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响。
3) B site doping
B位掺杂
1.
Focus on describing the situation of A an B site doping to Bi4Ti3O12 and the improvement of them to the ferroelectric and fatigue properties.
分析了对铁电薄膜Bi4Ti3O12进行A位、B位掺杂时,Bi4Ti3O12铁电性及疲劳特性的改善及相应的理论解释,并指出Bi4Ti3O12值得进一步深入研究的领域。
4) B-doped
B掺杂
1.
Large Area Deposition of B-doped CVD Diamond Film;
大面积B掺杂CVD金刚石膜的制备研究
2.
Used hydrothermal method to synthesis B-doped nano-TiO_2 with visible light response,and B atoms existed as B-O-Ti.
采用水热法合成了具有可见光响应的B掺杂纳米TiO_2,其中B以B-O-Ti的结构存在。
5) B-site doping
B位掺杂
1.
The effect of B-site doping with different ion sizes and valences on the remnant polarization and fatigue endurance was investigated to clarify the mechanism of B-site doping.
制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量。
6) N-doped
N掺杂
1.
N-doped Visible Light Responsive Photocatalysts;
N掺杂可见光化催化剂的研究
2.
Preparation of N-doped TiO_2 photocatalyst and degradation of formaldehyhyde under visible light;
N掺杂TiO_2光催化剂的制备及其可见光降解甲醛
3.
Preparation and characterization of N-doped nano-TiO_2 photocatalyst
N掺杂纳米TiO_2光催化剂的制备与表征
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条