1) doping controls
掺杂控制
1.
To achieve the anticipated advantages of QDIPs,it is necessary to optimize quantum-dots(QDs)growth conditions to make the dots smaller,more uniform and denser,and improve QDs doping controls and doping levels to get 1-2 electrons in one QD.
指出要实现量子点红外探测器的优势,必须优化量子点生长条件,让量子点更小、更均匀和密度更大;必须提高量子点的掺杂控制和掺杂水平,实现每个量子点中有1～2个电子;必须降低量子点生长中引入的应力,增加量子点有源区的层数;此外,还必须寻求新的量子点红外探测器结构。
2) doped under control
控制掺杂
3) ambience control doping
气氛控制掺杂
1.
Sulfur ions were added to cerium ion-doped silica by chemical doping and ambience control doping.
通过化学掺杂及气氛控制掺杂的手段对Ce3+–SiO2材料进行S2–掺杂改性,并对其光吸收和光致发光性能进行分析。
4) controlled doping
可控掺杂
1.
Research progress on controlled doping of organic semiconductive film by cosublimation;
共升华可控掺杂有机半导体薄膜材料的研究进展
5) doping control of semiconductors
半导体掺杂物控制
6) modulation-doped
调制掺杂
1.
The electron-sheet-density in the quantum well of Strain-Si modulation-doped NMOSFET(Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor)affects switch performance.
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性。
补充资料：掺杂
分子式：
CAS号：
性质：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。
CAS号：
性质：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途。例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。掺杂原子或离子的浓度对材料性质影响很大，需要在实验中严格控制。不同的体系和化合物所采用的掺杂方法也不同。半导体材料多用气相沉积法或离子束溅射法掺杂。发光材料则多用化学方法，并在一定温度下灼烧，使晶体中的掺杂离子均匀分布。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条