杂质对半导体的性能起着决定性的影响。这不仅是因为在晶体的制备过程中很难避免杂质的混入，更主要的是为了控制半导体的性能制成有用的器件往往还要人为并且有控制地加入某些杂质。对完全纯净的半导体，一般在室温下只有少量的价带电子热激发到导带而形成电子空穴对，导电能力很弱，这种情况只要向半导体内掺入少量的杂质就能改变。其中一些杂质，离化能很小，在常温下就能电离，向导带提供电子，或接受价带电子导电为主的n型半导体或以空穴导电为主的p型半导体。同时杂质本身成为带正电或负电的离子，这种杂质称为施主杂质或受主杂质。当杂质原子的价电子数和主晶格原子的相关两个以上时，原则上说，在半导体中也可以起施主或受主作用，但常常因为离化能较大，在常温下对半导体的载流子（电子和空穴的总称）浓度影响不大，常被称为深能级杂质。但是许多这样的杂质，即使数量很少，也能在半导体中起到有效复合中心作用，促进非平衡载流子的复合，减小非平衡载流子寿命，从而影响半导体的光电导、光吸收和光发射以及器件的开关参数。