1) Mn selectively doped
Mn调制掺杂
2) modulation-doped
调制掺杂
1.
The electron-sheet-density in the quantum well of Strain-Si modulation-doped NMOSFET(Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor)affects switch performance.
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性。
3) doping tuned
掺杂调制
4) Mn doping
Mn掺杂
1.
Furthermore,the Mn doping was demonstrated to be able to improve the electrochemical performances of the cathodes.
Mn掺杂的Li3Fe2(PO4)3样品的恒电流充放电测试和伏安循环测试(2~4V)发现,所有样品中Fe3+/Fe2+氧化还原电对均有两个稳定的充放电平台(2。
5) Mn-doped ZnO
Mn掺杂ZnO
1.
Structure and Magnetism of Mn-doped ZnO Nanocrystals Annealed at Different Temperature;
不同退火温度下Mn掺杂ZnO纳米晶的结构和磁性
2.
Optical Properties and Magnetism of Mn-doped ZnO Nanocrystals;
Mn掺杂ZnO纳米晶的光学和磁学性质研究
6) Mn-doping
Mn掺杂
1.
The results showed that the shape of the XRD spectrum was remarkably similar to that of the un-doped ZnO film, indicating that the structure of the films was not disturbed by Mn-doping and the film also had mainly (103) peaks.
通过脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了不同含量的Mn掺杂ZnO薄膜。
2.
Mn-doped Ga2O3 thin films with different contents Mn-doping are deposited on Si(111) and glass substrates by magnetron sputtering method.
采用磁控溅射法在Si(111)和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga2O3薄膜,使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等对Mn掺杂Ga2O3薄膜的表面形貌、结晶特性和光吸收性能进行了研究。
补充资料：调制掺杂
调制掺杂
modulation doPing
调制掺杂结构在二维物理新效应的研究方面也很有意义。在这种结构中不仅观察到二维系统所特有的整数量子霍耳效应，并且在更低的温度和更强的磁场条件下，还发现了分数量子霍耳效应(见二维电子气)。 (孑L梅影)调制掺杂modulation dopi飞一种使掺杂剂原子不均匀分布，并将载流子与杂质在空间分开的异质结构。由于杂质散射作用的减少，这种结构材料中的载流子可具有极高的低温迁移率。 最早的调制掺杂异质结构是丁格(Dinge)等于1978年用MBE技术作出的调制掺Si的GaAs/AIGaAs超晶格。它是在AIGaAs层中掺N型杂质Si，而GaAs层不掺杂，N一AIGaAs中离化施主所贡献的导带电子的能量大于GaAs导带底而进入GaAs层，积累在GaAs阱两侧的三角形势阱中形成高浓度的二维电子气，它们在空间上与AIGaAs中的离化施主分开。中间还可加一层不掺杂的AIGaAs隔离，使离化施主对GaAs层中电子的库仑散射作用大大减弱，电子可以有很高的迁移率。尤其是在低温下，晶格散射作用也大大减小，这种迁移率增强效应更为显著。目前GaAs/N一AIGaAs调制掺杂单异质结的迁移率已达到i.lx107em2/(V·s)(0.3K)。还研制了在AIGaAs中掺P型杂质Be的调制掺杂异质结构，界面处GaAs阱中二维空穴气的迁移率也获得极大提高，已接近10飞mZ/(V·s)(4 .2K)。调制掺杂结构在器件方面有十分重要的应用。1980年用它研制成功的高电子迁移率晶体管(HEMT)为半导体超高频器件和电路的发展开拓了一个重要方向。HEMT器件已进入商品生产，HEMT环形振荡器的每门延滞时间已低至SPs，64k静态存储器已进入开发。近几年来，用InGaAs一InAIAs调制掺杂异质结制作的HEMT也有很大进展，它比GaAs/N一AIGaAs的HEMT有更高的跨导和速度。
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参考词条