1) etching gas
刻蚀气体
1.
Reactive ion etching(RIE)of silicon nitride was performed with CHF3,CHF3+CF4,and CHF3+O2as etching gases.
采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。
2) etching gases
蚀刻气体
3) gas etching
气体蚀刻
5) gas-assisted etching
气体辅助刻蚀
1.
In order to etch good quality holes,the authors used gas-assisted etching(GAE) with focused ion beam.
为获得更好的刻蚀效果,还采用了FIB的气体辅助刻蚀方法(gas-assisted etching,GAE)。
6) gas assisted etching (GAE)
气体辅助刻蚀(GAE)
补充资料：蚀刻气体
分子式：
CAS号：
性质：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是，图形边缘整齐，线条清晰，图形变换差少，且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体，通常多为氟化物气体，例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无片子损伤和沾污、所以其应用范围日益广泛。
CAS号：
性质：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是，图形边缘整齐，线条清晰，图形变换差少，且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体，通常多为氟化物气体，例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无片子损伤和沾污、所以其应用范围日益广泛。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条