1) vapor-phase etching
气相刻蚀
1.
HF vapor-phase etching was studied under different temperatures and different conditions for fabrication of suspended nano structure.
针对纳米悬浮结构的制作,对不同温度和不同气相条件下的氢氟酸(HF)气相刻蚀进行了研究。
2) etching gases
蚀刻气体
3) gas etching
气体蚀刻
4) etching gas
刻蚀气体
1.
Reactive ion etching(RIE)of silicon nitride was performed with CHF3,CHF3+CF4,and CHF3+O2as etching gases.
采用CHF3、CHF3+CF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验,研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。
5) interferometric lithography(IL)
相干刻蚀(IL)
6) vapor phase corrosion inhibitor
气相缓蚀
1.
Progress of research for vapor phase corrosion inhibitor desiccant material with amine molybdate silica gel-polyethlene,Use the material packaging ferrous and nonferrous metals articles,effective protect for corrosion pitting,mottling,tarnishing articles were described.
叙述了钼酸铵-硅胶-聚乙烯气相缓蚀干燥材料研究的进展,用这种材料包装黑色与有色金属制件可有效地防止制件的点蚀、麻蚀和失泽。
补充资料：蚀刻气体
分子式：
CAS号：
性质：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是，图形边缘整齐，线条清晰，图形变换差少，且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体，通常多为氟化物气体，例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无片子损伤和沾污、所以其应用范围日益广泛。
CAS号：
性质：蚀刻就是把基片上无光刻胶掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金属膜等蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，这样便在基片表面得到所需要的成像图形。蚀刻的基本要求是，图形边缘整齐，线条清晰，图形变换差少，且对光刻胶膜及其掩蔽保护的表面无损伤和钻蚀。蚀刻方式有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用气体称蚀刻气体，通常多为氟化物气体，例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蚀刻由于蚀刻方向性强、工艺控制精确、方便、无脱胶现象、无片子损伤和沾污、所以其应用范围日益广泛。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条