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1)  nc-Si/SiNx MQW
nc-Si/SiNx多量子阱材料
1.
Nonlinear optical properties of nc-Si/SiNx MQW were probed by a Z-Scan Technique.
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiNx多量子阱材料
2)  nc-Si/SiNx films
nc-Si/SiNx薄膜
3)  SiGe/Si MQW
SiGe/Si多量子阱
4)  a Si/SiO 2 multiple quantum well
a-Si/SiO_2多量子阱
5)  GeSi/Si MQW
GeSi/Si多量子阱
6)  Si/SiNx multiple quantum-wells
Si/SiN_x多量子阱
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8

性质:暂无

制备方法:暂无

用途:用于轻、中度原发性高血压。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条