1) nc-Si/SiNx MQW
nc-Si/SiNx多量子阱材料
1.
Nonlinear optical properties of nc-Si/SiNx MQW were probed by a Z-Scan Technique.
采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiNx多量子阱材料。
2) nc-Si/SiNx films
nc-Si/SiNx薄膜
4) a Si/SiO 2 multiple quantum well
a-Si/SiO_2多量子阱
5) GeSi/Si MQW
GeSi/Si多量子阱
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条