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1)  subthreshhold leakage current
亚阈值漏电流
2)  subthreshold leakage current
亚阈值泄漏电流
1.
The research on the influence of edge implant on subthreshold leakage current of H-gate SOI pMOSFETs doses was made.
就不同边缘注入剂量对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响进行了研究。
3)  subthreshold current
亚阈值电流
1.
A two-dimensional(2D)model for the subthreshold current in a dual-material gate silicon-on-insulator(SOI)MOSFET with a single halo is presented.
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流。
4)  subthreshold leakage
亚阈值泄漏
5)  sub-threshold current
亚阈电流
6)  subthreshold current mirror
亚阈值电流镜电路
1.
A novel method to characterize CMOS process fluctuations in subthreshold current mirrors (SCM) is reported.
与现有的统计学方法相比,该方法在理论上和计算复杂度上相对简洁,但对亚阈值电流镜电路中的CMOS工艺波动做出了准确的评估。
补充资料:泄漏电流
分子式:
CAS号:

性质:沿不希望的绝缘途径流过的电流。泄漏电流由泄漏电流试验测定。泄漏电流试验一般是直流泄漏电流试验。泄漏电流试验可发现绝缘物的硬伤、脆裂等缺陷。发电机、交流电动机、变压器和电抗器、油断路器和空气断路器、电力电缆、避雷器等高压设备投入运行前应按规定做泄漏电流试验。绝缘手套、绝缘靴、绝缘垫等电工安全用具亦应按规定,定期做泄漏电流试验。

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