1) photoelectron emission of subthreshold
亚阈值光电发射
2) subthreshold value voltage
亚阈值电压
1.
A design method of low-power CMOS two stages amplifier working in the condition of subthreshold value voltage is introdluced,and an in-depth analysis of circuit parameter and performance is made.
因此提出一种工作在亚阈值电压范围内的低功耗CMOS两级运放的设计方法,并对电路的参数和性能做深入分析是很必要的。
3) subthreshold current
亚阈值电流
1.
A two-dimensional(2D)model for the subthreshold current in a dual-material gate silicon-on-insulator(SOI)MOSFET with a single halo is presented.
在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流。
4) Threshold photoelectron
阈值光电子
1.
Threshold photoelectron spectra and photoionization efficiencycurves were measured.
合肥国家同步辐射实验室（ＮＳＲＬ）光化学实验站上，国内首例用于研究原子、分子结构的阈值光电子谱（ＴＰＥＳ）技术。
5) threshold current
阈值电流<光>
6) threshold of photoemission
光电放射阈
补充资料：地理阈值
亦称地理临界值。它将地理系统中的不同状态加以分隔与区分，把某一性质的表现范围加以限制和说明。在此种意义上，地理阈值代表了系统的“状态空间”的非连续性。在一般叙述中，常把地理阈值等同于地理系统边界条件，但二者是有区别的：如果两种不同的状态同时存在于相同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“非传递性”的转移；而当两种不同状态分置于不同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“过渡性”地转移。无论是非传递性转移的地理阈值，还是过渡性转移的地理阈值，都使地理系统中不可能具备唯一的、通用的或稳定的解。所谓“解”都是有条件的，都是在地理阈值约束下的解。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条