1) sub-threshold region
亚阈值区
1.
It is based on the gate-source voltage of an NMOS operating in sub-threshold region and a PTAT voltage produced by the weighted difference of the gate source voltage of two different NMOSs.
本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压,结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT(与绝对温度成正比)电压,提出了一种用于电流模基准源的新的高阶补偿方法。
2.
When a MOSFET is working at the sub-threshold region,its IDS-VGScharacteristic is exponential.
文章利用工作在亚阈值区MOS管的I-V指数特性,分别对低温及高温条件下VBE的高阶非线性项进行了补偿,从而实现了高精度基准电压。
3.
The sub-threshold region was divided into a forward sub-threshold region and a reverse sub-threshold region.
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。
2) Subthreshold Region
亚阈值区
1.
Biasing Reference Circuit Working in Subthreshold Region-Peaking Current Mirror;
工作于亚阈值区的偏置基准电路-峰值电流镜
2.
MOSFETs in the middle stage of the OTA work in subthreshold region.
本文报道了一种新颖的 CMOS运算跨导放大器 ( OTA) ,OTA的设计核心 MOSFET工作在亚阈值区 。
3) Subthreshold operation
亚阈值工作区
4) sub-threshold
亚阈值
1.
To meet the even higher reguirements of new types of microelectronic products for voltage reference,a unit-circuit of low-voltage reference source based on sub-threshold MOS has been developed.
为了满足新型微电子产品对电压基准提出的更高要求,提出了一种基于亚阈值MOS的低电压基准源单元电路,该基准源单元电路采用TSMC0。
2.
In order to effectively decrease the power consumption of analog integrated circuits and improve the technology compatibility,a design method of low-voltage low-power consumption voltage reference with fully CMOS configuration is presented based on the MOS transistors in sub-threshold region.
该方法基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。
3.
The design adopts MOS transistor working at sub-threshold region to enhance robust of circuit.
给出了一种应用于低温光敏探测器读出电路的可编程电流源,工作在液氮环境(77K),无外加单元,与一般电流源设计不同,本设计将部分MOS管设计在亚阈值区工作来提高电路工作稳定性。
5) weak inversion
亚阈值
1.
Factors that affect the oscillator frequency precision,output wave form and noise are analyzed in detail,and a weak inversion current bias circuit without resistors is designed.
针对应用要求,设计了一个环形振荡器,分析了影响振荡频率精度、输出波形及噪声的因素,并设计了一个无电阻的亚阈值电流偏置电路。
6) subthreshold
[英]['sʌb'θreʃhəuld] [美][sʌb'θrɛʃ,old, -,hold]
亚阈值
1.
A Low-Power Subthreshold CMOS Crystal Oscillator;
一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器
2.
Implementation of Analog Decoder Based on Subthreshold Characteristics of MOS Transistors;
基于MOS管亚阈值特性的模拟译码器
3.
The circuit has low current consumption because it works in subthreshold region,especially its benchmark circuit and bias circuit work in subthreshold region.
设计了一种CMOS工艺的锂离子电池保护芯片,采用整个电路工作在亚阈值区的电路设计,特别是基准电路和偏置电路,从而使电路具有非常低的功耗;采用电阻网络分压,使同一种型号可以产生不同系列。
补充资料：地理阈值
亦称地理临界值。它将地理系统中的不同状态加以分隔与区分，把某一性质的表现范围加以限制和说明。在此种意义上，地理阈值代表了系统的“状态空间”的非连续性。在一般叙述中，常把地理阈值等同于地理系统边界条件，但二者是有区别的：如果两种不同的状态同时存在于相同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“非传递性”的转移；而当两种不同状态分置于不同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“过渡性”地转移。无论是非传递性转移的地理阈值，还是过渡性转移的地理阈值，都使地理系统中不可能具备唯一的、通用的或稳定的解。所谓“解”都是有条件的，都是在地理阈值约束下的解。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条