1) subthreshold
[英]['sʌb'θreʃhəuld] [美][sʌb'θrɛʃ,old, -,hold]
亚阈值
1.
A Low-Power Subthreshold CMOS Crystal Oscillator;
一种工作于亚阈值区的低功耗CMOS晶体振荡器
2.
Implementation of Analog Decoder Based on Subthreshold Characteristics of MOS Transistors;
基于MOS管亚阈值特性的模拟译码器
3.
The circuit has low current consumption because it works in subthreshold region,especially its benchmark circuit and bias circuit work in subthreshold region.
设计了一种CMOS工艺的锂离子电池保护芯片,采用整个电路工作在亚阈值区的电路设计,特别是基准电路和偏置电路,从而使电路具有非常低的功耗;采用电阻网络分压,使同一种型号可以产生不同系列。
2) sub-threshold
亚阈值
1.
To meet the even higher reguirements of new types of microelectronic products for voltage reference,a unit-circuit of low-voltage reference source based on sub-threshold MOS has been developed.
为了满足新型微电子产品对电压基准提出的更高要求,提出了一种基于亚阈值MOS的低电压基准源单元电路,该基准源单元电路采用TSMC0。
2.
In order to effectively decrease the power consumption of analog integrated circuits and improve the technology compatibility,a design method of low-voltage low-power consumption voltage reference with fully CMOS configuration is presented based on the MOS transistors in sub-threshold region.
该方法基于工作在亚阈值区的MOS管,利用PTAT电流源与微功耗运算放大器构成负反馈系统以提高电源电压抑制比。
3.
The design adopts MOS transistor working at sub-threshold region to enhance robust of circuit.
给出了一种应用于低温光敏探测器读出电路的可编程电流源,工作在液氮环境(77K),无外加单元,与一般电流源设计不同,本设计将部分MOS管设计在亚阈值区工作来提高电路工作稳定性。
3) weak inversion
亚阈值
1.
Factors that affect the oscillator frequency precision,output wave form and noise are analyzed in detail,and a weak inversion current bias circuit without resistors is designed.
针对应用要求,设计了一个环形振荡器,分析了影响振荡频率精度、输出波形及噪声的因素,并设计了一个无电阻的亚阈值电流偏置电路。
4) sub-threshold region
亚阈值区
1.
It is based on the gate-source voltage of an NMOS operating in sub-threshold region and a PTAT voltage produced by the weighted difference of the gate source voltage of two different NMOSs.
本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压,结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT(与绝对温度成正比)电压,提出了一种用于电流模基准源的新的高阶补偿方法。
2.
When a MOSFET is working at the sub-threshold region,its IDS-VGScharacteristic is exponential.
文章利用工作在亚阈值区MOS管的I-V指数特性,分别对低温及高温条件下VBE的高阶非线性项进行了补偿,从而实现了高精度基准电压。
3.
The sub-threshold region was divided into a forward sub-threshold region and a reverse sub-threshold region.
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶HTFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建立了模型,对比了不同模型下的模拟结果,发现亚阈值区的TFT特性依赖于材料性质,而且亚阈值前区和亚阈值后区的特性受栅源电压VGS和漏源电压VDS的影响,呈指数变化。
5) Subthreshold Region
亚阈值区
1.
Biasing Reference Circuit Working in Subthreshold Region-Peaking Current Mirror;
工作于亚阈值区的偏置基准电路-峰值电流镜
2.
MOSFETs in the middle stage of the OTA work in subthreshold region.
本文报道了一种新颖的 CMOS运算跨导放大器 ( OTA) ,OTA的设计核心 MOSFET工作在亚阈值区 。
6) Subthreshold MOSFET
亚阈值MOSFET
1.
A Novel Current Reference Source with High PSRR Based on Subthreshold MOSFET s;
一种新颖的高电源抑制比亚阈值MOSFET电流基准源
2.
This paper has produced current model reference circuit of subthreshold MOSFET of a novel structure and made use of feedback technology to produce current IPTAT offsetting to current ICTAT,whose reference voltage has only one independent variable(ICTAT) function so that decreases its temperature coefficient.
提出了一种结构新颖的亚阈值MOSFET电流模基准电路,利用反馈技术产生偏置于电流ICTAT的电流IPTAT,输出基准电压只是一个自变量(ICTAT)的函数,降低了其温漂系数。
补充资料：地理阈值
亦称地理临界值。它将地理系统中的不同状态加以分隔与区分，把某一性质的表现范围加以限制和说明。在此种意义上，地理阈值代表了系统的“状态空间”的非连续性。在一般叙述中，常把地理阈值等同于地理系统边界条件，但二者是有区别的：如果两种不同的状态同时存在于相同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“非传递性”的转移；而当两种不同状态分置于不同的边界条件之中时，地理阈值的表现可能是“过渡性”地转移。无论是非传递性转移的地理阈值，还是过渡性转移的地理阈值，都使地理系统中不可能具备唯一的、通用的或稳定的解。所谓“解”都是有条件的，都是在地理阈值约束下的解。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条