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1)  etching taper
刻蚀角度
2)  taper etching
锥角蚀刻
3)  etching depth
刻蚀深度
1.
The relation of energ/etching depth is obtained.
根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀深度的影响进行了理论分析,并在SDS-2电子束曝光机上分别采用5keV、10keV、15keV、20keV、25keV、30keV等能量的电子束对国产胶苏州2号进行了曝光实验,得出了能量/刻蚀深度关系曲线。
2.
The etching depth of the circles showed a decreasing trend in the same processing conditions.
比较了相同实验条件下直线轨迹与圆环轨迹的刻蚀深度。
4)  deep etching
深度蚀刻
5)  deep-scan
深度刻蚀
1.
The deep-scan analysis reveal that with scan depth increasing,the O/V ratio and the vanadium valence of the film changes gradiently,especially within scan depth of 80nm.
采用X射线光电子能谱仪对制得的氧化钒薄膜进行了深度刻蚀分析。
6)  overetched ['əuvə,etʃid]
蚀刻过度的
补充资料:锥角
分子式:
CAS号:

性质:是由入射粒子在固体介质材料中形成的径迹经化学蚀刻放大后产生的圆锥体之顶角,常用顶角的1/2表示。可由入射角和径迹投影锥角求得。

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参考词条