1) etching uniformity
刻蚀均匀度
1.
The etching uniformity of UBM layer and the bump undercut were compared by batch tool and single wafer tool.
通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。
2) uniform scale
均匀刻度
3) Etch Rate Uniformity
刻蚀速率均匀性
4) non-uniform scale
不均匀刻度
5) general corrosion
均匀腐蚀
1.
Corrosion behaviors of austenite stainless steel 1Cr18Ni9Ti in sodium carbonate containing uranium were studied by electrochemical polarization and general corrosion methods.
用动电位极化法和均匀腐蚀法研究了奥氏体不锈钢 (1Cr18Ni9Ti)在含铀碳酸钠溶液中的腐蚀行为。
2.
5%-6% NaCl solutions and a similar general corrosion resistance in -0.
5mol／LH2SO4溶液中具有相当于原始不锈钢的耐均匀腐蚀性能。
6) Uniform Corrosion
均匀腐蚀
1.
Calculation on Remaining Life of Buried Crude Pipeline in Uniform Corrosion;
埋地输油管道均匀腐蚀剩余寿命计算
2.
Anti-uniform corrosion property of theses materials are measured under 270℃and 290℃.
本文选用压力容器常用钢——— 12CrMoV、2 0 g、16MnR三种材质 ,按照适于我国一水硬铝石型铝土矿的双流法溶出工艺条件 ,在铝土矿溶出实验用的钢弹中 ,测定了 2 70℃、2 90℃温度下三种材质的耐均匀腐蚀性。
3.
Under the water chemistry condition simulating pressurized water reactors(PWRs) coolant(temperature,345 ℃;B,800 mg/L;Li,2 mg/L), their stress corrosion and uniform corrosion behaviors are studied.
采用GB43 3 4 7 84和法国RCC MMC1 3 1 0对国产两种堆焊材料进行了点腐蚀、晶间腐蚀试验 ,在模拟压水堆核电站介质 (温度 3 45℃ ,80 0mg/LB ,2mg/LLi)条件下 ,研究了堆焊材料的应力腐蚀和均匀腐蚀性能。
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条