1) AuInSe_2
金铟硒
1.
Comparison of Photoelectrochemistry Oscillating Behaviour of Electrodeposited Semiconductor Thin Films CuInSe_2, AgInSe_2 and AuInSe_2;
铜、银、金铟硒半导体薄膜光电化学振荡行为比较
3) CuInSe_2
铜铟硒
1.
Fundamental studies of CuInSe_2 thin films based solar cells;
铜铟硒薄膜太阳能电池的几个基础问题研究
2.
Comparison of Photoelectrochemistry Oscillating Behaviour of Electrodeposited Semiconductor Thin Films CuInSe_2, AgInSe_2 and AuInSe_2;
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究。
4) AgInSe_2
银铟硒
1.
Comparison of Photoelectrochemistry Oscillating Behaviour of Electrodeposited Semiconductor Thin Films CuInSe_2, AgInSe_2 and AuInSe_2;
对用电沉积方法制备的铜铟硒、银铟硒和金铟硒半导体薄膜在阴极还原H2O2时产生的（光）电化学振荡现象进行了对比性的分析与研究。
5) CIGS
铜铟镓硒
1.
Application of dipulse power supply with variable duty ratio to the preparation of predeposited layer of CIGS thin films;
可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用
2.
And it gives introduction on the on-going commercializing project of CIGS thin film photovoltaic(PV) technologies.
阐述了铜铟镓硒薄膜太阳电池的研究现状、发展趋势;描述了铜铟镓硒薄膜太阳电池及其组件的商业化进程;介绍了正在实施和筹备的铜铟镓硒薄膜太阳电池技术的商业化项目。
6) diindium selenide
硒化二铟
补充资料：金钯铁铟合金
分子式：
CAS号：
性质：金基添加钯、铁和铟的四元高电阻合金。铟可提高合金的电阻系数。有AuPdFeln35.6-6.3-1和AuPdFeln35.6-6.3-2等。
CAS号：
性质：金基添加钯、铁和铟的四元高电阻合金。铟可提高合金的电阻系数。有AuPdFeln35.6-6.3-1和AuPdFeln35.6-6.3-2等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条