1) CIGS solar cell
铜铟镓硒太阳电池
2) CIGS
铜铟镓硒
1.
Application of dipulse power supply with variable duty ratio to the preparation of predeposited layer of CIGS thin films;
可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用
2.
And it gives introduction on the on-going commercializing project of CIGS thin film photovoltaic(PV) technologies.
阐述了铜铟镓硒薄膜太阳电池的研究现状、发展趋势;描述了铜铟镓硒薄膜太阳电池及其组件的商业化进程;介绍了正在实施和筹备的铜铟镓硒薄膜太阳电池技术的商业化项目。
3) GaAs solar cell
砷化镓太阳电池
1.
Research of high voltage miniature GaAs solar cell;
高压微型砷化镓太阳电池的研究
2.
The key technologies such as 3-region control and uniform bus alignment,high efficiency power generating of 3-node GaAs solar cell,and intelligent control management of charge V-T curve were also analyzed.
分析了设计中采用的三域控制统一母线调节、高效三结砷化镓太阳电池发电和充电V-T曲线智能化控制管理等关键技术。
4) CIGS thin film
铜铟镓硒薄膜
1.
Application of sputtering-based laminating selenylation process to preparation of CIGS thin films;
以溅射为主的叠层硒化法制备大面积铜铟镓硒薄膜
5) gallium-arsenide solar cell
[电]砷化镓(单体)太阳电池
6) single crystal thin film InP solar cell
磷化铟薄膜太阳电池
补充资料：二硒化镓铜晶体
分子式：
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素三元化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.5620nm，共价键结合，有一定离子键成分。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.70eV，一般为p型材料，空穴迁移率2×10-3m2/(V·s)。熔点1040℃。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制取。
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素三元化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.5620nm，共价键结合，有一定离子键成分。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.70eV，一般为p型材料，空穴迁移率2×10-3m2/(V·s)。熔点1040℃。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制取。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条