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1)  polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs)
多晶硅TFT
1.
Device degradation of solution-based metal-induced laterally crystallized (MILC) p-type polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) is studied under dc bias stresses.
晶粒间界(Grain Boundary, GB)缺陷态的产生和NBTI退化具有相同的时间幂指数n,表明了在多晶硅TFT的退化中晶界缺陷态的产生起着关键作用。
2)  poly-si TFT circuits
多晶硅TFT电路
3)  a-Si TFTs
非晶硅TFT
4)  crystalline-silicon TFT
水晶硅TFT
5)  amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT)
非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)
6)  TFT LCD
TFT液晶
补充资料:多晶
分子式:
CAS号:

性质:多晶(体)是众多取向机遇的单晶(体)的集合。多晶与单晶内部均以点阵式的周期性结构为其基础,对同一品种晶体来说,两者本质相同。两者不同处在于单晶是各向异性的,多晶则是各向同性的。在摄取多晶衍射图或进行衍射计数时,多晶样亦有其特色。多晶体中当晶粒粒度较小时,晶粒难于直观呈现晶面、晶棱等形象,样品清晰度差,呈散射光。这种场合的多晶亦常称作粉晶(powder crystal)。

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参考词条