1) polysilicon films
多晶硅膜
1.
Two methods for preparing the doped polysilicon films ,the plasma-enhanced chemicalvapor deposition (PECVD)and the low-pressure chemical vapor deposition(LPCVD),havebeen studied experimentally.
对等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）和低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）两种方法制备掺杂多晶硅膜进行了详细的实验研究，通过时两者进行比较，对淀积的动力学特性、淀积膜的结构、膜的电特性与工艺条件的关系等进行了分析讨论。
2.
Based on a theoretical model for LPCVD, computer simulation of PECVD polysilicon films has been performed by employing the concept of "electron temperature".
在LPCVD理论模型基础上,通过引进“电子温度”,对 PECVD多晶硅膜进行了计算机模拟分析。
2) polycrystalline silicon film
多晶硅薄膜
1.
Effect of hydrogen dilution on structure and optical properties of polycrystalline silicon films;
氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响
2.
Control of grain size during low-temperature growth of polycrystalline silicon films;
多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制
3.
The origin structure of a-Si∶H films is closely related to the recrystallizaiton temperature,the grain size and electrical properties of polycrystalline silicon films,which were formed by recrystallization annealing of a-Si∶H films.
用a -Si∶H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜 ,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系 ,而a -Si∶H薄膜的初始结构依赖于沉积条件。
3) polysilicon thin films
多晶硅薄膜
1.
A novel method for electrically measuring the thermal expansion coefficient of polysilicon thin films is presented.
提出了一种新型多晶硅薄膜热膨胀系数的电测试结构,给出了热机电耦合模型和测试方法,并利用Coventor软件和ANSYS软件进行模拟和验证。
2.
A test structure to measure the diffusivity of polysilicon thin films is proposed.
本文提出了一种表面加工多晶硅薄膜的在线测试结构。
3.
An on-line test structure for measuring the thermal conductivity of polysilicon thin films is proposed.
提出了一种在线测试表面加工多晶硅薄膜热导率的结构 ,推导了热学模型 ,给出了测试方法 ,用 ANSYS验证了热学模型 。
4) polycrystalline silicon thin film
多晶硅薄膜
1.
Study on low temperature electrical properties of polycrystalline silicon thin films deposited at low temperatures using SiCl_4/H_2;
SiCl_4/H_2为气源低温沉积多晶硅薄膜低温电学特性的研究
2.
Study of preparing polycrystalline silicon thin film by RTA
快速热退火制备多晶硅薄膜的研究
3.
Effects of thickness and grain size on Voc,Jsc,and ( of n +/p and n +/p p + polycrystalline silicon thin film solar cells have been calculated by PC1D.
利用PC1D计算了结构为n+ / p和n+ / p p+ 多晶硅薄膜太阳电池的晶粒尺寸和薄膜厚度对其Voc,Jsc和 η的影响。
5) poly-Si thin films
多晶硅薄膜
1.
This article introduced the method of fabricating poly-Si thin films by aluminum-induced crystallization(AIC)of amorphous silicon, and described the general process of fabricating poly-Si thin films.
多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用。
2.
Under the help of SEM measurement,the morphologies of the Poly-Si thin films were analyzed basing on the growing theory of poly-Si thin films,The result shows that columnar grains could be formed in thick films,and the thicker the films are,the larger the columnar grains grow.
在多晶硅薄膜(Poly-S i)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜。
3.
In this thesis, the fabrication of high quality poly-Si thin films is investigated.
随着第三代太阳能电池——薄膜太阳能电池的深入研究,要提高多晶硅薄膜太阳能电池的光伏转换效率,制备高质量的多晶硅薄膜是从本质上解决问题的一个途径。
6) polycrystalline silicon films
多晶硅薄膜
1.
The light-stability of polycrystalline silicon films deposited at low temperatures from SiCl_4/H_2 mixture;
用SiCl_4/H_2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究
2.
High quality polycrystalline silicon films were directly fabricated from SiCl 4_H 2 mixture gases by plasma chemical vapor deposition technique with deposition rate and crystalline fraction of 3.
以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 。
3.
High-quality polycrystalline silicon films composed of large and uniform columnar grains with a moderate lateral grain size of ～1μm,vertical grain size of ～ 20μm and crystalline fraction(fc) over 95 % have been fabricated on glass substrates with metal Cu-induced layer by hot-wire chemical vapor deposition(HWCVD).
采用热丝化学气相沉积法(HWCVD),在金属铜诱导层上成功制备出横向晶粒尺寸在1μm左右、垂直晶粒尺寸达20μm的柱状多晶硅薄膜,其晶化率在95%以上。
补充资料：硅多晶的硅烷法制备
硅多晶的硅烷法制备
polycrystalline silicon manufacture by silane process
gUIdUOJIng de gu一Wanfa zh一bei硅多晶的硅烷法制备(polyerystalline silieonmanufaeture by silane proeess)以甲硅烷作.介质的硅材料超提纯技术。是硅多晶的重要生产方法之一。其实质是先用硅粉或硅的化合物制成甲硅烷(SIH小然后用精馏等方法进行提纯，将纯SIH4经热分解siH;干里止篷些生51+2H2而得硅多晶。siH、无腐蚀性，热分解温度低且分解率高，故此法所得硅多晶的纯度高，产率高;但因SIH魂易燃易爆，需采取专门措施。 2。世纪50年代，一些厂家曾试图用硅烷法制造硅多晶，均因未解决好爆炸问题而被迫停产。首先实行稳定生产的是日本小松电子金属公司与石嫁研究所合作开发的以硅化镁作原料的工艺。其反应式为: NH。 MgZSi+4NH;CI一SIH4个斗ZMgC12+4NH:个 siH。再经低温精馏，然后经热分解得硅多晶棒。由于合成过程中有NH3存在，在以下工序的设备上装有真空夹套，较彻底地解决了燃烧与爆炸问题。此法于1960年开始生产，硅多晶的纯度优于西门子法(见硅多晶的西门子法制备)，其硼含量一般小于千亿分之一。但由于成本高等原因，其生产规模停滞在很小的水平上。 美国联合碳化物(UCC)公司研究成功了新硅烷法，使成本大幅度降低，并于1985年正式投产。此法利用如下合成和歧化反应获得硅烷: 51+2H2+3SICI;一4SIHC13 65爪HC13一3SIHZC12十3SICI咋 4SIHZC12一ZSIH3CI+ZSIHC13 3SIH3CI一SIHZCI:+SIH、 整个过程是闭路，一方投入硅与氢，另一方获得硅烷，因此排出物少，对生态环境有利，同时材料的利用率高。硅多晶的纯度高，其硼含量同样小于千亿分之一。产品多用于制备区熔硅单晶，包括辐射探测器用硅单晶(见辐射探测器用锗单晶和辐射探刚器用硅单晶)，也用于优质直拉硅单晶(见半导体硅材料)的制备。 美国埃西尔(Ethyl)公司利用磷肥生产的副产品制成硅烷，经提纯后进入流态化床进行热分解，制成平均粒径为0.7~。.75mm的颗粒状硅多晶，其硼含量小于0.3ppba，已批量生产。这种产品已用于硅的直拉法单晶生长，有可能用于正在开发的连续直拉法单晶生长。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条