2) Vacuum Magnetic Filtered Arc Plasma Deposition
真空磁过滤电弧离子镀
1.
Fabrication of Ti-O film by vacuum magnetic filtered arc plasma deposition and its blood compatibility
真空磁过滤电弧离子镀沉积Ti-O薄膜及其血液相容性
2.
In this paper, Ti-O films were prepared on various substrates by Vacuum Magnetic Filtered Arc Plasma Deposition (VMFAPD) at different oxygen partial pressure, substrate bias and deposition temperature.
本文采用真空磁过滤电弧离子镀技术,通过改变氧分压、基体偏压、沉积温度等工艺参数在不同的基体上制备了Ti-O薄膜。
4) filtered cathode vacuum arc ion plating equipment
过滤阴极真空电弧离子镀膜机
5) filtered cathode vacuum arc deposition
过滤阴极真空电弧离子镀膜技术
6) filtered cathodic arc plasma
磁过滤阴极弧等离子体
1.
Titanium nitride coatings were deposited on unheated stainless steel substrate and stainless steel substrate heated to 400 ℃ by filtered cathodic arc plasma deposition (FCAP) and direct current magnetron sputtering deposition (DCSP), respectively.
分别利用磁过滤阴极弧等离子体沉积装置和直流磁控溅射装置在不锈钢基底上制备了 Ti N涂层 ,采用 X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪和扫描电子显微镜对涂层的结构及形貌进行了表征 ;利用纳米压痕仪测定了涂层的硬度 ;在 DF- PM型动摩擦系数精密测定仪上考察了涂层的摩擦学性能 。
2.
This thesis focused on the preparation of amorphous carbon nanotip arrays for excellent field emission cathode material by a unique combination of the anodic aluminum oxide (AAO) template and filtered cathodic arc plasma (FCAP) technology.
本论文以磁过滤阴极弧等离子体技术结合阳极氧化铝模板制备冷阴极场发射材料非晶碳纳米尖点阵列膜为重点,分别对阳极氧化铝模板的制备工艺、模板孔径大小和孔道开口形状的准确控制及其性能进行了研究探讨,对非晶碳纳米尖点阵列的制备技术、性能进行了较为深入详细的分析探讨。
补充资料：离子镀
分子式：
CAS号：
性质：镀料和镀件置于真空室中，在一定真空度下从针形阀通入惰性气体(通常为氩气)，使真空度保持在0.1～1Pa。接通负高压，使蒸发源(镀料；阳极)和镀件(阴极)之间放电，建立低压气体放电的等离子区和阴极区。然后将蒸发源通电加热，使镀料金属气化进入等离子区。在高速电子轰击下，金属气体一部分被电离并在电场作用下被加速，射在镀件表面而形成镀层。离子镀的主要特点是镀层均匀，附着力好，可用于装饰、表面硬化、电子元器件用的金属或化合物镀层、光学用镀层等。
CAS号：
性质：镀料和镀件置于真空室中，在一定真空度下从针形阀通入惰性气体(通常为氩气)，使真空度保持在0.1～1Pa。接通负高压，使蒸发源(镀料；阳极)和镀件(阴极)之间放电，建立低压气体放电的等离子区和阴极区。然后将蒸发源通电加热，使镀料金属气化进入等离子区。在高速电子轰击下，金属气体一部分被电离并在电场作用下被加速，射在镀件表面而形成镀层。离子镀的主要特点是镀层均匀，附着力好，可用于装饰、表面硬化、电子元器件用的金属或化合物镀层、光学用镀层等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条