1) Tunneling Electroresistance
隧穿电致电阻效应
2) tunneling resistance
隧穿电阻
1.
Quantum calculations of tunneling resistance in single electron transistors;
单电子晶体管隧穿电阻的量子计算
4) tunneling magnetoresistance
隧道磁电阻效应
1.
In recent years,large magnetic entropy change and tunneling magnetoresistance effects in magnetic perovskite-type compounds have been observed.
类钙钛矿型材料是一类物理内涵极其丰富的化合物,它是著名的高温超导材料、铁电材料、压电材料,又是庞磁电阻效应材料,目前又显示出具有大磁熵变效应与隧道磁电阻效应。
2.
The microstructure of the film,its magnetic properties and tunneling magnetoresistance effect (TMR) were systematically studied.
由 Inoue关于隧道磁电阻效应的理论得到的自旋极化率 P和 Co的原子百分数 x的关系曲线和实验测得的 RTMR ～ x曲线具有相似的变化趋势 。
3.
The history and applications of tunneling magnetoresistance are described briefly.
回顾了隧道磁电阻效应发展简史及其应用 ,报道了锌铁氧体 氧化铁二相纳米复合材料在室温具有巨磁隧道电阻效应的实验结果 ,该实验结果表明锌铁氧体是具有高自旋极化率的一类新材料 ,值得进一步开展相关的研究工作 。
5) electroresistance effect
电致电阻效应
1.
For the sample prepared by solid-state reaction, the electrical resistance keeps unchanged with current loads and no electroresistance effect takes place.
用固相反应法制得的样品的电阻几乎不随负载电流的变化而变化,即不表现电致电阻行为;而通过高能球磨合成后续热处理方法得到的样品电阻随外加电流增大而急剧减小,出现显著电致电阻效应。
6) tunneling magnetoresistance
隧穿磁电阻
1.
The MTJs with tunneling magnetoresistance (TMR) ratio of 30%—48% can be directly obtained for the structure of Ta(5 nm)/Cu(25 nm)/Ni_ 79Fe_ 21(.
采用4nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和1·0或0·8nm厚的铝氧化物为势垒膜,直接制备出了室温隧穿磁电阻(TMR)为30%—48%的磁性隧道结,其结构为Ta(5nm)/Cu(25nm)/Ni79Fe21(5nm)/Ir22Mn78(10nm)/Co75Fe25(4nm)/Al(0·8nm)-O/Co75Fe25(4nm)/Ni79Fe21(20nm)/Ta(5nm)。
2.
The typical values of junction resistance_area product and tunneling magnetoresistance (TMR) ratio of the MTJs are 16 kΩμm 2 and 18% respectively.
利用现有的光刻设备和工艺条件在 4英寸热氧化硅衬底上直接制备出的磁性隧道结 ,其结电阻与面积的积矢的绝对误差在 10 %以内 ,隧穿磁电阻的绝对误差在 7%以内 ,样品的磁性隧道结性质具有较好的均匀性和一致性 ,可以满足研制磁随机存储器存储单元演示器件的基本要
3.
For example, the MTJs of Co/Al 2O 3/Co with a tunneling magnetoresistance (TMR) ratio of 17 2%, the junction resistance of .
例如 :利用狭缝宽度为 1 0 0 μm的金属掩模 ,直接制备出室温隧穿磁电阻比值为 1 7 2 %的磁性隧道结Co Al2 O3 Co,其结电阻为 76Ω ,结电阻和结面积的积矢为 76× 1 0 4 Ωμm2 ,自由层的偏转场为 1 1 1 4A m ,并且在外加磁场 0— 1 1 1 4A·m- 1 之间时室温磁电阻比值从零跳跃增加到 1 7 2 % ,磁场灵敏度达到 0 1 % (1 0 3A·m- 1 ) 。
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条