1) magnetoresistivity
[mæɡ,ni:təurizis'tiviti]
磁致电阻率，磁阻效应
3) magnetoresistivity(MR)
磁致电阻率
4) magnetoresistance effect
磁电阻效应
1.
Research of tunneling magnetoresistance effect in ferromagnet-nonmagnetic impurity-ferromagnet system;
铁磁-非磁性杂质-铁磁隧道结磁电阻效应
2.
Phase separation and colossal magnetoresistance effect in a small-world network;
小世界网络中的相分离和超大磁电阻效应
3.
Charge-ordering and magnetoresistance effect in the half-doped Pr_(0.5)Ca_(0.5)Mn_()1-xCr_xO_3 system;
半掺杂Pr_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Cr_xO_3体系的电荷有序和磁电阻效应
5) magnetoresistance
[mæɡ,ni:təuri'zistəns]
磁电阻效应
1.
Huge magnetoresistance effect of highly oriented pyrolytic graphite;
高度取向石墨的巨磁电阻效应
2.
Compared with the La 1- x K x MnO 3+ δ compound, a large characteristic low temperature magnetoresistance (MR) effect under a relatively lower magnetic field was observed in the polycrystalline two.
0 75 )钙钛矿材料 ,对比研究了两类化合物的结构、磁卡和磁电阻效应。
3.
The discovery of intergrain magnetoresistance in Sr 2FeMoO 6 as high as 10% at room temperature (300K), made a wide serial A 2B′B″O 6 double perovskite materials attracted considerable interests from both practical and theoretical fields.
室温下标准双钙钛矿型氧化物Sr2 FeMoO6中 ,10 %的隧穿型磁电阻现象的发现 ,使得这类A2 B′B″O6氧化物在磁电阻效应实用化研究的众多候选对象中脱颖而出 ,引起了人们相当大的关注。
6) giant magnetic impedance effect (GMI)
巨磁致阻抗效应
补充资料：磁致电阻
磁致电阻
Magnetoresistance
磁致电阻(magnetoresistanee 磁致电阻是对载流的导体或半导体加上磁场H时所产生的电阻变化。磁致电阻是磁场电效应的一种。它在磁场H平行于和垂直于电流时都可观察到。电阻的变化通常与H“成正比，但是在非常大的磁场中，它变成与H成正比。参阅“磁场电效应”(galvanomagnetie effeets)条。 在大多数金属中，电阻的变化是正的;然而，在贵金属和过渡金属的合金以及在饱和以上的铁磁体中，电阻的变化一般是负的。 在半导体中，磁致电阻非常大(特别在锑化姻中)，并且相对于单晶体中电流的方向具有大的各向异性。后一性质对于确定带结构很有价值。对磁致电阻的测量还可提供有关载流子迁移率的知识。 仁亚伯拉罕斯(E.Abrahams)、凯弗(F·Keffer)撰]
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参考词条