1) nonlinear fractional function
非线性分式函数
2) nonlinear piecewise function
非线性分段函数
3) Nonlinear distribution function
非线性分布函数
4) linear fractional function
线性分式函数
1.
This paper gets the iteration formulas of linear fractional function by matrix characteristic polynomial theory.
利用矩阵的特征多项式的理论,得到了线性分式函数的n次迭代式的一般计算公式,推广和补充了有关文献的结论。
5) non-linear function
非线性函数
1.
Contrasted to traditional forecasting methods,the foraecasting system herein has good ability for approaching to non-linear function and latent feedback s dynamic data processing,it can learn and adapt to severity uncertainly dynamic system s tract,and the forecasting precision is high.
结合实际敏捷制造企业,通过与传统的预测方法进行比较,证明该预测系统具有良好的非线性函数逼近能力和隐层反馈的动态数据处理能力,能够学习与适应严重不确定性系统的动态特性,预测精度高。
2.
State of charge (SOC) is a complex non-linear function concerned with discharge current, terminal voltage, temperature and so on.
电池荷电态(SOC)是放电电流、端电压、温度等多种因素的复杂的非线性函数,而且不同类型的电池具有很大的差异,不能建立统一的模型。
6) nonlinear function
非线性函数
1.
The adjustment effects with the first and second order term of expanded nonlinear function in consideration;
非线性函数一阶和二阶泰勒展开截留项下的平差效果
2.
In the model,nonlinear function is used to quantified the criterions and effectively weigh the difference that fluctuation of index brings.
在决策模型中,利用非线性函数对指标进行无量纲化处理,能有效地衡量因各个指标波动带来的差异;采用价值工程方法对备选汽车进行排序分析。
3.
The sub-image with high frequency uses nonlinear function to enhance the detail definition,and then the unsharp masking(UM) method was used to enhance the sub-image with low frequency,at last gets the enhanced image by wav.
该算法将CR图像进行小波变换分解,针对各子图像的特征,对高频细节部分采用非线性函数进行对比度增强,提高细节清晰度;对低频平滑部分采用反锐化掩模(UM)的方法对图像进行增强,以保证CR图像整体增强效果,最后进行小波变换得到增强后的CR图像。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条