1) semiconductor on sapphire device
蓝宝石上半导体掐
2) semiconductor on sapphire device
蓝宝石上半导体器件
5) mos/sos
蓝宝石上硅型金属氧化物半导体
补充资料：掺钛蓝宝石激光晶体
分子式：Ti3+:Al2O3
CAS号：
性质：在基质晶体中掺入三价钛离子而形成的输出激光可调谐激光晶体。六方晶系。熔点2050℃。空间群D36d-R3C，硬度9，仅次于金刚石。晶体具有宽的吸收带(400～600nm)、宽的发射带(650～1200nm)和大的发射截面(3×10-19cm2)，荧光寿命3.2μs。采用焰熔法、提拉法、区熔法、热交换法等方法制备。军事上用于遥感、雷达，工业上用于激光加工等。
CAS号：
性质：在基质晶体中掺入三价钛离子而形成的输出激光可调谐激光晶体。六方晶系。熔点2050℃。空间群D36d-R3C，硬度9，仅次于金刚石。晶体具有宽的吸收带(400～600nm)、宽的发射带(650～1200nm)和大的发射截面(3×10-19cm2)，荧光寿命3.2μs。采用焰熔法、提拉法、区熔法、热交换法等方法制备。军事上用于遥感、雷达，工业上用于激光加工等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条