补充资料：激光退火

激光退火
laser annealing

激光退火laser annealing用激光对材料进行退火。又称激光处理。E.1.什图尔科夫(Shtyrkov)等于1976年提出用激光对离子注入的半导体进行退火，以消除注入损伤和激活注入杂质。此法被广泛用于金属和绝缘体等各种材料的退火处理。 激光退火分脉冲激光退火和连续波激光退火两种。激光退火过程是在激光辐照下注入损伤层的再结晶过程。一般脉冲激光退火是液相结晶过程，而连续波激光退火是固相结晶过程。激光退火一般是一种热过程。但是对脉冲激光退火过程的解释有两种:①热熔化模型。认为激光辐照使样品表面层在高温下熔化，然后结晶。②非热模型。认为在极窄的激光脉冲作用下，样品表面温度不超过300一400℃，发生的不是热熔化再结晶过程，而是非热的二类相变过程。 离子注入激光退火法在20世纪70年代末就已受到广泛重视。因为激光辐照可以对材料局部进行短时间高温处理，防止了传统热退火中出现的杂质再扩散和热缺陷的产生。激光退火杂质激活率很高，甚至可大大超过杂质的固溶度。但是，脉冲激光辐照在半导体中引入深能级缺陷，而且激光退火均匀性较差，效率也较低，在器件生产中逐渐被后发展的瞬时热退火所取代。但是超窄脉冲激光在材料科学研究中却有了新的发展。许多材料在脉冲宽度小于微微秒(甚至小至10~’5秒)的激光作用下，发生非平衡过程，材料的许多特性与平衡状态差异很大，是材料科学研究中的一个重要方向。 (鲍希茂)

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