1) sapphire crystal
蓝宝石晶体
1.
Dual-lapping process for sapphire crystal
蓝宝石晶体的双面研磨加工
2.
A high quality sapphire crystal oriented along was grown by Kyropulos method.
报道了泡生法生长[0001]方向的高质量蓝宝石晶体技术。
2) Sapphire
[英]['sæfaɪə(r)] [美]['sæfaɪr]
蓝宝石晶体
1.
Study on the High-Temperature Sensing Technology Based on Single Crystal Sapphire
蓝宝石晶体高温传感技术研究
3) sapphire Al2O3 single crystals
蓝宝石Al2O3晶体
1.
The thermal conductivity of sapphire Al2O3 single crystals under high pressure has been discussed by the solid static phonon theory,in this theory,minimum phonon mean free path,Debye temperature,Gruneisen parameter and shock temperature,which change under shocked compression ware introduced.
对蓝宝石Al2O3晶体在高压下的热传导系数这一在的理论和实验仍处于探索中的问题,本文从较严格的固体理论出发,考虑到晶格声子的最小平均自由程、Debye温度、Gruneisen参数以及冲击温度在冲击压缩状态下的变化,进而对在高压实验中最常用的窗口材料蓝宝石Al2O3晶体的导热系数进行了理论分析,计算结果较好解释了实验结果。
4) sapphire single crystal
蓝宝石单晶
1.
Study on the technology of large size sapphire single crystal growth by SAPMAC;
SAPMAC法生长大尺寸蓝宝石单晶工艺研究
2.
The professional modeling software package CrysVUn was employed to study the process of a large sapphire single crystal growth using Kyropoulos method.
本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对泡生法生长大尺寸蓝宝石单晶进行了计算机模拟。
5) rod-shaped sapphires
蓝宝石棒晶
1.
By adding micron ZrO_2(3Y)powder of a certain content into the thermit and through thermit combustion,ceramics/metal liquid-liquid separation and melt-growth processes,Al_2O_3/20% ZrO_2(3Y) composite ceramics mainly composed of the rod-shaped sapphires with different structural orientation,within each sapphire(t-ZrO_2) nano-micron fibers are embedded,have been fabricated.
通过在铝热剂中添加一定含量的微米ZrO2(3Y)粉末,以铝热燃烧、陶瓷/金属液相分离与熔体自生方式,制备出以t-ZrO2纳微米纤维镶嵌于其上且具有不同结构取向的蓝宝石棒晶为基的Al2O3/20%ZrO2(3Y)复合陶瓷,并结合力学性能测试,研究材料显微结构、裂纹扩展与增韧之间的内在联系。
6) sapphire wafer
蓝宝石晶片
1.
Study of the system of quality inspection for sapphire wafer;
蓝宝石晶片质量检测体系研究
2.
An Experimental Study of the Grinding Technics for Sapphire Wafer
蓝宝石晶片研磨工艺的研究
3.
The significance of sapphire wafer cleaning in growing of GaN is explained.
阐述了在氮化镓生长中使用的蓝宝石晶片净化的重要性。
补充资料：掺钛蓝宝石激光晶体
分子式：Ti3+:Al2O3
CAS号：
性质：在基质晶体中掺入三价钛离子而形成的输出激光可调谐激光晶体。六方晶系。熔点2050℃。空间群D36d-R3C，硬度9，仅次于金刚石。晶体具有宽的吸收带(400～600nm)、宽的发射带(650～1200nm)和大的发射截面(3×10-19cm2)，荧光寿命3.2μs。采用焰熔法、提拉法、区熔法、热交换法等方法制备。军事上用于遥感、雷达，工业上用于激光加工等。
CAS号：
性质：在基质晶体中掺入三价钛离子而形成的输出激光可调谐激光晶体。六方晶系。熔点2050℃。空间群D36d-R3C，硬度9，仅次于金刚石。晶体具有宽的吸收带(400～600nm)、宽的发射带(650～1200nm)和大的发射截面(3×10-19cm2)，荧光寿命3.2μs。采用焰熔法、提拉法、区熔法、热交换法等方法制备。军事上用于遥感、雷达，工业上用于激光加工等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条