1) gallium arsenide semiconductor
砷化镓半导体
2) gallium arsenide metal semiconductor field effect transistor(GaAs MESFET)
砷化镓金属化半导体场效应晶体管
6) semi-insulating gallium arsenide
半绝缘砷化镓
1.
Micro-distribution of carbon in semi-insulating gallium arsenide;
半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究
2.
An automatic system for the measurement of two-dimensional distribution of resistivity of semi-insulating gallium arsenide wafer with three electrode guard method is presented in this paper.
本文介绍了三电极保护法半绝缘砷化镓材料电阻率二维分布自动测量系统,在实际应用中,温度波动、异常数据对测量结果产生严重影响,为此我们提出了一些措施。
补充资料：砷化镓
| 砷化镓 gallium arsenide 一种化合物半导体材料。化学式GaAs，黑灰色固体。熔点1238℃，在600℃以下 ，能在空气中稳定存在，而且不为无氧化性的酸侵蚀。在一定的压力下，镓和砷的蒸气发生反应，便可合成砷化镓晶体。同锗和硅相比，砷化镓的禁带宽广大，电子迁移率高，介电常数小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，具有双能谷导带，用于制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等。 |
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参考词条