1) GaAs-Gallium Arsenide
镓砷化物
2) Gallium arsenide
砷化镓
1.
In this paper, polyferric silicate sulfate (PFSS) was prepared and arsenic-containing wastewater from gallium arsenide plant was flocculated by it.
用自制的无机高分子聚合硅酸铁(PFSS),对砷化镓生产中的含砷废水进行了混凝处理。
2.
Arsenic containing wastewater from gallium arsenide production was treated by coagulation process using self made polyferric metasilicate.
用自制的聚合硅酸铁 (PFSiC)对砷化镓生产中的含砷废水进行混凝处理。
3.
A great deal of wastewater was produced in the manufacturing of gallium arsenide wafers,and the main contamination was gallium arsenide particles in suspension.
砷化镓晶片生产过程中 ,产生大量废水 ,其中主要污染物是悬浮状态的砷化镓微粒。
3) GaAs
砷化镓
1.
Study on recovering Ga from GaAs scraps by vacuum metallurgy;
真空法处理砷化镓废料回收镓的研究
2.
A Quantitative Method of AB Microscopic Defects in Semi-insulating GaAs Single Crystals;
半绝缘砷化镓单晶中AB微缺陷的定量测量方法
3.
Electron Acoustic Microscopic Study of GaAs Epitaxial Layers;
砷化镓半导体外延层的电子声成像
4) φ 76mm GaAs
76mm砷化镓
5) Aluminum Gallium Arsenide
砷化铝镓
6) p-type gallium arensidep
型砷化镓
补充资料：砷化镓
| 砷化镓 gallium arsenide 一种化合物半导体材料。化学式GaAs，黑灰色固体。熔点1238℃，在600℃以下 ，能在空气中稳定存在，而且不为无氧化性的酸侵蚀。在一定的压力下，镓和砷的蒸气发生反应，便可合成砷化镓晶体。同锗和硅相比，砷化镓的禁带宽广大，电子迁移率高，介电常数小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，具有双能谷导带，用于制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条