1) neutral transmutation
中子嬗变掺杂硅单晶
3) NTD-Si
中子嬗变掺杂硅
1.
Practicallization of Neutron Transmutation Doped-Silicon(NTD-Si)Is the One of Breakthrough Points in Development of Power Semiconductor Devices;
中子嬗变掺杂硅(NTD-Si)的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一
4) NTDCZSi
中子嬗变掺杂直拉硅
6) neutron transmutation doping wafer
参杂中子变嬗变晶圆
补充资料:单晶硅
单质硅的一种形态。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅(见彩图)。
单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加;有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加;有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条